[发明专利]一种原位反应热压制备锆铝硅碳陶瓷块体材料的方法无效

专利信息
申请号: 200810010615.7 申请日: 2008-03-12
公开(公告)号: CN101531514A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 周延春;何灵峰;包亦望 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C04B35/515 分类号: C04B35/515;C04B35/52;C04B35/622
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 张志伟
地址: 110016辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 原位 反应 热压 制备 锆铝硅碳 陶瓷 块体 材料 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应热压制备锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)陶瓷块体材料的方法。

背景技术

锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)陶瓷块体材料是新型的耐超高温、抗氧化的三元材料。它们综合了高模量、高硬度、抗氧化、耐腐蚀、高电导率、热导率、较强的破坏容忍性等优点。在航空、航天、核工业、超高温结构件等高新技术领域都有广泛的应用前景。尽管锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)块体材料具有如此优异的性能,制备上的困难限制了对其性能的研究与它的应用。迄今为止关于锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)陶瓷块体材料制备方面的文献报道只有两篇。文献1(J.Mater.Res.(材料研究学报)22(2007)2888)和文献2(J.Solid State Chem.(固态化学杂志)180(2007)1809)中用电脉冲烧结技术在1700℃,40MPa压力下分别烧结了Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5体材料。他们先在真空炉里合成Zr3[Al(Si)]4C6、Zr2[Al(Si)]4C5粉,然后把获得的粉体烧结成块体。这种非原位合成的方法过程复杂,样品成型尺寸较小,不利于测试材料的力学性能和将来的应用。

发明内容

本发明的目的在于提出了一种原位反应热压制备锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)超高温陶瓷块体材料的方法。该方法以Zr粉、Al粉、Si粉和C粉为原料,在较低温度,短时间内合成了高纯度、致密的锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)块体材料,可以解决现有非原位合成的方法过程复杂、样品成型尺寸较小等问题。

本发明的技术方案如下:

一种原位反应热压制备锆铝硅碳陶瓷块体材料的方法,该方法特征在于:

1)原料组成及成分范围:

以Zr粉、Al粉、Si粉和C粉为原料,按化学计量比,Zr:Al:Si:C=(2-3):(3-5):(0.3-1.5):(4-7);

按化学计量比,Zr:Al:Si:C=3:(3-5):(0.3-1.5):(5-7),合成单相Zr3[Al(Si)]4C6

按化学计量比,Zr:Al:Si:C=2:(3-5):(0.3-1.5):(4-6),合成单相Zr2[Al(Si)]4C5

合成Zr3[Al(Si)]4C6、Zr2[Al(Si)]4C5复合材料时,化学计量比在以上两个比例之间调节。

2)制备工艺:

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