[发明专利]提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法有效
申请号: | 200810010984.6 | 申请日: | 2008-04-11 |
公开(公告)号: | CN101555164A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 张劲松;田冲;曹小明;杨振明;刘强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C04B41/85 | 分类号: | C04B41/85;C04B41/88 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 碳化硅 泡沫 陶瓷 高温 氧化 性能 表面 涂层 制备 方法 | ||
1.提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法,其特征在于:
第一步,将碳化硅泡沫陶瓷在700~1300℃下预氧化处理1~10小时;
第二步,经第一步处理的碳化硅泡沫陶瓷在惰性气氛或者真空下,在离子溅射镀膜机内,利用Al金属靶材,在泡沫陶瓷表面溅射一层金属Al ;
第三步,经第二步处理的碳化硅泡沫陶瓷在常温空气气氛下放置10~24小时后,在500~1200℃氧化气氛下氧化处理1~20小时,然后再通入Ar或N2保护气体升温至1200~1550℃保温0.5~2小时。
2.根据权利要求1所述的提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法,其特征在于,所述第一步中,预氧化条件为:空气气氛,温度700~1300℃下预氧化处理1~10小时,在表面形成SiO2层,厚度为2~10μm。
3.根据权利要求1所述的提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法,其特征在于,所述第二步中,经第一步处理的碳化硅泡沫陶瓷表面溅射一层Al金属,具体步骤如下:
(1)将Al金属靶材安装在离子溅射机内靶台上;
(2)将经第一步处理的碳化硅泡沫陶瓷超声清洗、烘干,安装在可进行连续三维运动基材转台上;
(3)使溅射室真空抽至1~5×10-3Pa,或者抽真空后通入惰性气氛Ar气或He气;
(4)金属靶功率在500~1500W之间,基材偏压在-100至-400V之间,样品转速在1~15rpm之间,沉积Al金属膜厚度控制在1~50μm之间。
4.根据权利要求1所述的提高碳化硅泡沫陶瓷高温抗氧化性能的表面涂层制备方法,其特征在于,所述第三步中,常温空气气氛下放置时间为20小时,氧化处理的温度为1150℃,时间为5小时;保护气氛处理温度为1350℃,保护气体为Ar或N2,保温时间为1小时。
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