[发明专利]一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810013447.7 申请日: 2008-09-27
公开(公告)号: CN101683983A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 张世刚;刘中民;许磊;刘红超 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 马 驰;周秀梅
地址: 116023*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 中空 介孔壳层 球形 氧化 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种中空介孔壳层球形氧化硅材料的制备方法,其特征在于:其步骤为:

a)在5-80℃条件下将0.5-10g的聚苯乙烯树脂球置于乙醇水溶液中,超声处理5-30min;

b)将0. 001-0.2mol十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)溶于步骤a所述体系中,搅拌5-30min;

c)将1-20mL质量浓度37%的氨水加入到步骤b所述的体系中,搅拌0.5-10min;

d)将1-10mL正硅酸乙酯(TEOS)加入到步骤c所述的体系中,搅拌1-24h;

e)将上述溶液过滤得到白色粉末,用水和乙醇分别洗涤3-5次,然后20-50℃条件下干燥;

f)将步骤e合成的白色粉末材料在500-800℃下焙烧4-10h,得到单分散的中空介孔壳层球形氧化硅材料。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤a中是以乙醇水溶液为溶剂,其中乙醇10-100mL,去离子水10-100mL。

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤e中的干燥时间5-24小时。

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