[发明专利]磁性增强的H掺杂MnxGe1－x磁性半导体薄膜无效
| 申请号： | 200810014729.9 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101299368A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 颜世申;姚新欣;乔瑞敏;秦羽丰;孙毅彦;陈延学;刘国磊;梅良模 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F10/193;H01F41/18 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 增强 掺杂 mn sub ge 半导体 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，其特征在于，该材料中掺杂有2at％-35at％的氢原子，x＝0.03-0.6。
2.如权利要求1所述的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，其特征在于，该材料的居里温度不低于270K。
3.如权利要求1所述的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，其特征在于，用分子束外延、脉冲激光沉积、磁控溅射、化学气相沉积或者离子注入的方法在衬底上生长MnxGe1-x薄膜，Mn的掺杂浓度3at％-60at％。
4.如权利要求1所述的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，其特征在于，氢原子的掺入通过以下三种方式之一：
a.在氢气氛中生长该薄膜；
b.制备态薄膜在氢气氛中进行热处理；
c.制备态薄膜通过离子注入氢原子。
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