[发明专利]一种控制氧化锌纳米棒/纳米管阵列取向和形貌特征的方法无效
申请号: | 200810016893.3 | 申请日: | 2008-06-24 |
公开(公告)号: | CN101319370A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 武卫兵;胡广达;崔守刚 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B29/62;C01G9/02;H01G9/20;H01L31/0296;H01L51/42 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人: | 李桂存 |
地址: | 250022山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 氧化锌 纳米 阵列 取向 形貌 特征 方法 | ||
1.一种控制氧化锌纳米棒/纳米管阵列取向和形貌特征的方法,其特征在于包括如下步骤:
采用溶胶-凝胶旋涂法和快速退火工艺相结合,在基底表面沉积高度取向的实心或中空ZnO种子层薄膜,将ZnO种子层薄膜在硝酸锌水溶液中外延生长得到高度取向的ZnO纳米棒/纳米管阵列薄膜;
所述的在基底上沉积高度取向的实心或中空ZnO种子层薄膜的方法,采用以下步骤:
a.配制种子层前驱体溶液:将等摩尔乙酸锌和稳定剂依次溶解到乙醇中,乙酸锌的浓度为0.075~0.3M,充分搅拌后,密封均化制成种子层前驱体溶液;
b.沉积基底的清洗:将基底进行彻底清洗;
c.沉积ZnO种子层:将种子层前驱体溶液以3000-7500转/min的速度旋涂到基底表面;
d.将涂胶后的基底在280℃下蒸发掉溶剂或热解5min以上;转移到快速退火炉中,在300-800℃的温度下进行热处理,得到实心或中空ZnO种子层薄膜;
所述的在溶液中外延生长制备出高度取向的ZnO纳米棒/纳米管阵列薄膜的方法,采用以下步骤:
a.配制外延生长溶液:所用的试剂为等摩尔量的Zn(NO3)2·6H2O和六亚甲基四胺,其浓度为0.01-0.1mol·L-1,添加聚乙烯亚胺作为ZnO纳米棒/纳米管的外延生长调节剂,其浓度为5-20mmol·L-1;
b.将外延生长溶液在85-95℃下的密闭容器中预热0.5-5小时;
c.将实心或中空ZnO种子层薄膜采用顶面向下方式放入外延溶液中生长,生长时间为1-48小时;
d.将生长完的薄膜取出,并保持面向下快速放入去离子水中静止浸泡30min后,转入无水乙醇中浸泡30min以上,取出后真空快速干燥,保存;
所述的热处理为:在300℃的空气条件下处理5min以上,在500℃空气条件下处理5min以上,得到实心ZnO种子层薄膜;再将实心ZnO种子层薄膜在650℃以上的温度下处理5min以上,得到中空ZnO种子层薄膜。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的稳定剂为单乙醇胺。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的基底为普通玻璃、ITO或FTO导电玻璃、镀Pt硅片、单晶硅片或蓝宝石。
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