[发明专利]一种制备PCB电路用抗电磁干扰屏蔽器件的方法无效

专利信息
申请号: 200810017632.3 申请日: 2008-03-06
公开(公告)号: CN101252823A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 娄建勇;梁得亮;陈以通 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;B23P15/00;B22D25/02
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 朱海临
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 pcb 电路 电磁 干扰 屏蔽 器件 方法
【权利要求书】:

1.一种制备PCB电路用抗电磁干扰屏蔽器件的方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)采用柔性高导磁材料作为PCB电路用电磁屏蔽器件的材料;

所述柔性高导磁材料包括铁镍软磁合金、铁钴软磁合金和铁镍基非晶软磁材料,相对磁导率为103~105数量级;

2)将步骤1)中铁镍软磁合金或铁钴软磁合金采用拉拔工艺,加工成单根线径为0.05mm~0.5mm柔性导磁线材,然后经压接或焊接工艺制成平面二维结构或空间三维结构的电磁屏蔽器件;包括以下几种:

a.二维多芯排线结构,

b.二维平面网格结构,

c.三维空间网格结构;

或者将步骤1)中的铁镍软磁合金、铁钴软磁合金之一采用浇铸工艺,直接加工成所述三维空间网格结构的电磁屏蔽器件;

或者将步骤1)中的铁镍软磁合金、铁钴软磁合金之一轧制加工成厚度为0.05mm~0.2mm导磁薄片,然后采用冷冲压成型工艺制成三维空间帽状结构的电磁屏蔽器件;

或者先将厚度为0.1-0.5mm塑料膜片热压成型为所述三维空间帽状结构的基体,然后在该基体的里面或外面采用真空镀膜工艺镀上一层厚度为0.001-0.05mm的步骤1)所述铁镍基非晶软磁材料导磁膜,形成三维帽状屏蔽器件;

3)将步骤2)制得的二维结构的电磁屏蔽器件应用于制备PCB电路板上信号布线、信号排线的外层抗电磁干扰屏蔽网;电感线圈、含有永磁材料元件的外层抗电磁干扰屏蔽网罩;将步骤2)制得的三维空间网格结构的电磁屏蔽器件应用于制备PCB电路中集成IC芯片外层的抗电磁干扰屏蔽网罩;将步骤2)制得的三维空间帽状结构的电磁屏蔽器件应用于制备PCB电路中微处理器、单片机的外层抗电磁干扰封闭屏蔽罩。

2.如权利要求1所述的制备PCB电路用抗电磁干扰屏蔽器件的方法,其特征在于,所述的铁镍软磁合金采用的牌号为1J76、1J46;所述的铁钴软磁合金采用的牌号为1J22;所述的铁镍基非晶软磁材料的化学式为Fe40Ni38Mo4B18

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