[发明专利]多晶硅薄膜晶体管

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜晶体管，包括玻璃衬底、栅电极、漏电极和源电极，其特征在于：

所述的栅电极位于玻璃衬底上方，该栅电极上面淀积有Si₃N₄介质层，Si₃N₄介质层上淀积有本征多晶硅薄膜；

所述的源电极采用肖特基金属电极，位于本征多晶硅薄膜的上方。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于栅电极的长度覆盖源电极和源漏之间的沟道长度，以同时控制源电极和沟道区。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于Si₃N₄介质层覆盖整个栅电极和漏电极。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管，其特征在于栅电极一端的玻璃衬底上同时淀积有Si₃N₄介质层。

5.一种制备多晶硅薄膜晶体管的方法，包括如下过程：

(1)在玻璃衬底上溅射一层厚度为100-200nm的铬或者钼金属，刻蚀长度为4.5-6μm金属栅并形成栅电极；

(2)在栅金属电极和栅金属电极一端的衬底上面，利用等离子增强化学气相淀积法PECVD淀积厚度分别为50-300nm和150-500nm的Si₃N₄栅介质层，淀积温度为200-350℃；

(3)在Si₃N₄栅介质层上先利用PECVD法在200-350℃的温度下淀积本征非晶硅薄膜有源区，再通过扫描、退火，使非晶硅重结晶为多晶硅，并在多晶硅表面用10KeV，剂量1×10¹⁴cm^-2的磷进行势垒调整掺杂；

(4)在磷掺杂多晶硅一端的表面先进行磷离子注入，形成磷离子浓度大于10¹⁹cm^-3的n⁺多晶硅漏接触区，并淀积厚度为100-200nm的铝做为漏欧姆接触电极；再淀积厚度为100-200nm的铬形成肖特基源接触电极；

(5)在源漏金属电极之间用12KeV，2×10¹³em^-2的BF₂进行补偿掺杂，以调整因势垒调整掺杂时在沟道区形成的磷离子；

(6)用氮气在250℃温度下通过退火、钝化、打孔引出电极焊点，形成多晶硅薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的制备多晶硅薄膜晶体管的方法，其中步骤(2)和步骤(3)的优选参数为：

在栅金属电极上淀积的Si₃N₄栅介质层厚度为100nm；

在Si₃N₄栅介质层上淀积本证多晶硅薄膜的温度为250℃。