[发明专利]钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG及其熔体法晶体生长方法有效

专利信息
申请号: 200810018480.9 申请日: 2008-02-03
公开(公告)号: CN101307496A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;刘文鹏;丁丽华;谷长江;李为民;秦清海;万松明 申请(专利权)人: 中国科学院安徽光学精密机械研究所
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;C30B11/00;C30B15/00
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 代理人: 余成俊
地址: 230031安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 钆钇钪镓 石榴石 晶体 gysgg 及其 熔体法 晶体生长 方法
【权利要求书】:

1.钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG,其特征在于:化合物的分子式可表示为

Gd3xY3(1-x)Sc2Ga3(1+δ)O12,其中,x的取值范围为大于0且小于1,δ值可取正 值和负值,范围-0.2-0.2。

2.根据权利要求1所述的钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG,其特征在于:所述晶体 的原料配方为:

采用Gd2O3、Sc2O3、Y2O3、Ga2O3作为原料,按如下化合式进行配料:

1.5xGd2O3+1.5(1-x)Y2O3+Sc2O3+(1.5+δ)Ga2O3→Gd3xY3(1-x)Sc2Ga3(1+δ)O12

3.根据权利要求2所述的钆钇钪镓石榴石晶体GYSGG,其特征在于:所述原料 Gd2O3、Y2O3、Sc2O3、Ga2O3采用相应的钆、钇、钪、镓的其他化合物来进行代 替进行原料配制,只要通过化合反应能最终形成Gd3xY3(1-x)Sc2Ga3(1+δ)O12化合物 即可。

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