[发明专利]半导体晶片激光刻蚀开沟方法

权利要求书

1、一种半导体晶片激光刻蚀开沟方法，其特征在于：利用激光束垂直辐射半导体晶片表面，伴随激光束与半导体晶片之间的相对移动，在移动路径上激光束以熔化并蒸发的方式刻蚀辐射区表层的材料，以此在半导体晶片表面形成沟槽；所述激光束采用紫外激光，波长为200～400纳米，频率为30～50千赫，单脉冲能量为100～200微焦耳。

2、根据权利要求1所述的激光刻蚀开沟方法，其特征在于：通过改变激光束单脉冲能量、频率和相对移动速度来控制辐射区表层材料每次的刻蚀深度，在同一位置上重复刻蚀其刻蚀深度叠加；通过改变激光斑点大小来控制辐射区表层材料每次的刻蚀宽度，平移刻蚀路径其刻蚀宽度叠加。

3、根据权利要求1所述的激光刻蚀开沟方法，其特征在于：在激光刻蚀形成沟槽后，对半导体晶片依次进行下列步骤的后处理：

(1)、去除表面氧化层

将半导体晶片放入氢氟酸缓冲溶液晃动5～10min，去除表面氧化层，所述氢氟酸缓冲溶液由氢氟酸、氟化铵和水按1～3∶5∶5～10的质量比配制而成；然后取出放入软水槽中冲洗；

(2)、化学抛光

接着将半导体晶片放入硝酸∶氢氟酸∶冰醋酸按18∶1∶1的质量比配制的混酸中，晃动80～120秒进行化学抛光；

(3)、清洗

清洗先后在清洗液SC1和清洗液SC2中进行，控制溶液温度75±5℃，所述清洗液SC1由氨水、双氧水和纯水按1∶1∶5质量比配制而成，清洗液SC2由盐酸、双氧水和纯水按1∶1∶5质量比配制而成，然后用纯水冲洗；

(4)、干燥

将清洗后的半导体晶片用甩干机甩干，然后放入烘箱在N₂保护下烘干，备用。