[发明专利]栅极控制变容管结构及其生产方法无效
| 申请号： | 200810018719.2 | 申请日： | 2008-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101221991A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 丁国华;周烨;贺洁;胡斌 | 申请（专利权）人： | 无锡硅动力微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 控制 变容管 结构 及其 生产 方法 | ||
1.一种栅极控制变容管结构，其特征是：在埋层(10)的上面有外延(8)；在外延(8)内的上部有P型阱区(6)；在P型阱区(6)的上部有P+离子注入(12)，并且从P+离子注入(12)需要引出的地方有合金引出(11’)，该合金引出(11’)作为基准电位(3)的输入端；在P型阱区(6)的表面生长出栅氧化物(9)和场氧化物(5’)，并且在栅氧化物(9)和场氧化物(5’)的上面生长覆盖物栅多晶(4)；在对应于场氧化物(5’)正上方的栅多晶(4)处形成合金引出(11”)，作为变容管电容(1)的控制端；在对应于埋层(10)边缘处的外延(8)内有深磷(7)，并且深磷(7)的下端与埋层(10)相连；从深磷(7)的上端需要引出的地方有合金引出(11)，作为电源端(2)；在栅多晶(4)和合金引出(11、11’、11”)以外的外延(8)的上表面覆盖有场氧化物(5)。
2.如权利要求1所述栅极控制变容管结构的生产方法，其特征是：在埋层(10)生长完毕后，生长出外延(8)；在外延(8)中形成P型阱区(6)；在P型阱区(6)中形成P+离子注入(12)，并且从P+离子注入(12)需要引出的地方形成合金引出(11’)，作为基准电位(3)的输入端；在P型阱区(6)的表面生长出栅氧化物(9)和场氧化物(5’)，并且在栅氧化物(9)和场氧化物(5’)的上方生长覆盖物栅多晶(4)；在场氧化物(5’)正上方处的栅多晶(4)处形成合金引出(11”)，作为变容管电容(1)的控制端；埋层边缘处的外延(8)内形成深磷(7)，并且深磷(7)与埋层(10)相连；从深磷(7)需要引出的地方形成合金引出(11)，作为电源端(2)；在栅多晶(4)和合金引出(11、11’、11”)以外的上表面覆盖场氧化物(5)。
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