[发明专利]氮化镓薄膜外延生长结构及方法有效
| 申请号： | 200810018838.8 | 申请日： | 2008-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN101302648A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 李忠辉;陈辰;董逊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02;C30B25/18 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 薄膜 外延 生长 结构 方法 | ||
【权利要求书】：
1.氮化镓薄膜外延生长方法，该方法的工艺步骤包括，
1)选择SOI衬底，装入MOCVD反应室；
2)在1150℃，100Torr，氢气气氛10L/min烘烤10分钟；
3)降温至1040℃，通入三甲基铝30mL/min，30秒，然后通入氨气3000mL/min和三甲基铝30mL/min，生长60nm厚的AlN成核层；
5)在1040℃，通入氨气4400mL/min和三甲基镓130μmol/min，V/III比为1500，生长2.0μm厚的GaN单晶薄膜；
6)降至室温；其特征是4)关闭三甲基铝，通入氨气和三甲基镓生长GaN缓冲层，V/III比为200～800，三甲基镓流量为85μmol/min～305μmol/min，反应室温度设置为800～1180℃，厚度为0.1～1.0μm。
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