[发明专利]一种非易失存储器

权利要求书

1.一种非易失存储器，其特征在于，包括绝缘基体(1)、导电层(2)、绝缘层(3)和导电条带(4)，其中导电层(2)置于绝缘基体(1)之上，绝缘层(3)置于导电层(2)之上，导电条带(4)平铺固定于绝缘层(3)之上，所述导电层(2)蚀刻成等间距的条带，条带宽度由设计存储密度来决定，所述绝缘层(3)蚀刻成绝缘台阶，台阶厚度和相互之间的间距由存储密度、写电压来确定。

2.一种如权利要求1所述的非易失存储器的制造方法，其特征在于，导电层(2)和绝缘层(3)依次生长在绝缘基体(1)上，等间距蚀刻深度达到绝缘基体(1)的沟道，将导电层(2)和绝缘层(3)分割成互不相连的部分，每部分中导电层分别外接引线；绝缘层蚀刻掉中间部分，露出导电层(2)，保留两边的台阶，蚀刻完毕后，给绝缘基体(1)加上拉应变，而后将导电薄膜平铺固定于绝缘层(3)所形成的台阶上，并蚀刻切割，行成垂直于沟道方向的导电条带(4)，导电条带(4)的端部外接引线，制作完毕，撤去拉应变，具体制造步骤是：

(1).在绝缘基体(1)上依次生长导电层(2)和绝缘层(3)；

(2).将导电层(2)和绝缘层(3)蚀刻出深度达到绝缘基体(1)的平行沟道，余下部分形成等间距的条带；

(3).将绝缘层(3)所形成的条带中间部分进行蚀刻，蚀刻深度要求到达导电层(2)，两边形成绝缘台阶；

(4).对绝缘基体(1)施加垂直于蚀刻沟道方向的拉伸应变并保持不变；

(5).将导电薄膜平铺固定于绝缘层(3)所形成的台阶上，并将导电薄膜沿垂直于沟道方向进行蚀刻，形成与绝缘台阶交叉的导电条带(4)；

(6).撤去拉应变，导电条带(4)和导电层所行成的条带(2)端部分别接上外接引线，制成非易失存储器。