[发明专利]晶体硅太阳能电池的热处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳电池的生产方法，具体地说是一种晶体硅太阳电池的热处理方法。

背景技术

通过在P型硅片表面掺杂N型杂质，从而形成P-N结的过程，称之为扩散。通过氮气携带POCl₃，并同时通入氧气，使加热炉管中的硅片表面生成含磷的氧化层，在高温下，磷从氧化层扩散到硅中，从而在P型硅片表面形成一层薄的重掺杂的N型区。这个扩散过程就是热处理过程，在整个制作工艺中极为重要。传统的扩散方法如表一：

                    表一

  序号  程序  设定炉温(℃)  设定时间(分)  1  进舟  875℃  23  2  回温  875℃  15  3  通源1  875℃  20  4  通源2  875℃  12  5  再扩  875℃  8  6  出舟  875℃  23  总时间  101

这是一种常规的恒温扩散程序，要防止高温下进出舟时硅片容易碎裂，采用较慢的进出舟速度，N型区的杂质分布是遵循常规的余误差分布。

发明内容

本发明的目的在于设计一种晶体硅太阳能电池的热处理方法，该方法获得一种太阳电池合适的N区磷杂质分布，并兼有部份的退火吸杂效应，以适应不同硅片材料的加工，同时不增加原有的工艺时间。

按照本发明提供的技术方案，晶体硅太阳能电池的热处理方法，其特征是：

a、进舟：将一批硅片，竖插入石英舟中，置于扩散炉的硅碳浆上，将硅片推入有高温度的扩散炉管温区中，扩散炉管温区的炉温为860～900℃；

b、回温：进舟时推入的硅片、石英舟、硅碳浆是室温的，会引起扩散炉管高温区温度的下降，需要一个时间，使扩散炉管温区温度恢复至860～900℃；

c、通源：在扩散炉温度达到稳定后，通入含磷的气体源，在硅片上生成含磷的磷硅玻璃氧化层，继而使含磷杂质扩散入硅片中；所述通源是指通入含磷的气体源；