[发明专利]ZrS3和ZrS2纳米带及其制法

权利要求书

1.一种ZrS₃纳米带，其特征是：它为单斜晶系的、厚度为40-160nm、宽度为80-1500nm、长度为几十微米的ZrS₃纳米带。

2.一种ZrS₂纳米带，其特征是：它是权利要求1所述的ZrS₃纳米带在750-850℃真空热解得到的、为六方晶系的ZrS₂纳米带，是厚度为40-160nm、宽度为80-1500nm、长度为几十微米的ZrS₂纳米带。

3.一种制备权利要求1所述的ZrS₃纳米带的方法，其特征是：它是将锆片与硫粉放入石英管中，抽真空至内剩压力100Pa以下，将石英管烧密封，把石英管放在水平放置的管状熔炉中，使样品置于炉子的中间在500-700℃下加热2-10小时，即在锆片表面生长出上述的单斜晶系的ZrS₃纳米带。

4.一种制备权利要求2所述的ZrS₂纳米带的方法，其特征是：它是将权利要求3制备得到的生长了ZrS₃纳米带的锆片冷却至室温后，再把它放入石英管的一端，抽真空至内剩压力10^-2Pa以下，将石英管烧密封后，将石英管放入管状熔炉中间，使放有锆片的石英管一端放在管状熔炉的中央，石英管的另一端伸出管状熔炉外，在750-850℃下加热10-90分钟，锆片上的ZrS₃纳米带即热解成ZrS₂纳米带。

5.根据权利要求4所述的制备ZrS₂纳米带的方法，其特征是：为了防止在加热过程中空气进入石英管内，在石英管外、炉管内通入氩气。