[发明专利]MOS结构的功率晶体管及其制作方法

权利要求书

1、一种MOS结构的功率晶体管，包括金属层(1)、绝缘介质层(2)、多晶硅层(3)、栅氧化层(4)和第三掺杂层、第二掺杂层和第一掺杂层

(8)，其特征在于：所述多晶硅层(3)一端与相邻多晶硅层(3)之间的有源区原胞具有引线孔(6)，金属层(1)延伸至引线孔(6)与第三掺杂层(5)和第二掺杂层(7)相接导通；多晶硅层(3)另一端与相邻多晶硅层(3)之间的有源区虚拟原胞的金属层(1)与第二掺杂层(10)之间具有绝缘介质层(2)，或多晶硅层(3)另一端与相邻多晶硅层(3)之间的有源区虚拟原胞的金属层(1)与第三掺杂层(9)和第二掺杂层(10)之间具有绝缘介质层(2)。

2、根据权利要求1所述的MOS结构的功率晶体管，其特征在于：所述有源区虚拟原胞的第二掺杂层(10)的宽度控制在0.5μm～25μm。

3、根据权利要求1所述的MOS结构的功率晶体管，其特征在于：所述有源区虚拟原胞的第二掺杂层(10)与有源区原胞的第二掺杂层(7)的距离控制在0μm～20μm。

4、一种MOS结构的功率晶体管制作方法，其特征在于：

(1)、栅氧化：将进行清洁处理后的具有第一掺杂层的硅片放入氧化炉内进行栅氧化处理，以形成栅氧化层；

(2)、多晶硅淀积：将硅片放入淀积炉内，在硅片的栅氧化层上淀积多晶硅层；

(3)、多晶硅掺杂：将硅片放入扩散炉内，对多晶硅层进行掺杂形成导电层；

(4)、光刻：在硅片表面涂覆光刻胶，进行光刻、显影、刻蚀多晶硅层，形成第一窗口；

(5)、离子注入和扩散：将与第一掺杂层不同的杂质离子注入第一窗口内，然后在1000～1250℃进行扩散形成有源区原胞的第二掺杂层和有源区虚拟原胞的第二掺杂层；

(6)、光刻：在硅片表面涂覆光刻胶、光刻、显影形成第二窗口；

(7)、离子注入和扩散：将与第一掺杂层离子相同的杂质离子注入第二窗口内，注入后将光刻胶去掉，然后再将硅片放入扩散炉内，扩散形成有源区原胞的第三掺杂层；

(8)、绝缘介质层淀积和回流：在硅片表面淀积绝缘介质层，绝缘介质层厚度在然后对绝缘介质层进行回流处理；

(9)、引线孔光刻和腐蚀：在硅片表面涂覆光刻胶、光刻、显影、刻蚀有源区原胞的绝缘介质层形成引线孔；

(10)、金属层淀积：对硅片溅射或蒸发金属层形成电极。

5、根据权利要求4所述的MOS结构的功率晶体管制作方法，其特征在于：所述将与第一掺杂层离子相同的杂质离子注入第二窗口内，注入后将光刻胶去掉，然后再将硅片放入扩散炉内，扩散形成有源区原胞的第三掺杂层和有源区虚拟原胞的第三掺杂层。