[发明专利]抗电磁干扰低功耗高压驱动电路无效
| 申请号： | 200810020736.X | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101232284A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李海松;吴虹;孙伟锋;易扬波;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03K17/13;H03K17/687 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁 干扰 功耗 高压 驱动 电路 | ||
1.一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路，包含电平转换级(1)、高压输出级(3)，第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1)的第一、第二输入端，电平转换级(1)的输出(HV2)接高压输出级(3)的第一输入端，第四控制信号(LV4)接高压输出级(3)的第二输入端，其特征在于，
高压输出级(3)中包含由高压N型MOS管组成的抗电磁干扰电路模块，第五控制信号(LV5)接上述N型MOS管的栅极，高压输出级(3)的输出(Q)接上述N型MOS管的漏极，上述N型MOS管的源极接地。
2.一种抗电磁干扰低功耗高压驱动电路，包含电平转换级(1)、高压输出级(3)，第一、第二控制信号(LV1、LV2)接电平转换级(1)的第一、第二输入端，电平转换级(1)的输出(HV2)接高压输出级(3)的第一输入端，第四控制信号(LV4)接高压输出级(3)的第二输入端，其特征在于，
高压输出级(3)中包含由高压N型IGBT组成的抗电磁干扰电路模块，第五控制信号(LV5)接上述N型IGBT的栅极，上述高压输出级(3)的输出(Q)上述N型IGBT的阳极，上述N型IGBT的阴极接地。
3.根据权利要求1或2所述的抗电磁干扰低功耗高压驱动电路，其特征在于，
在电平转换级(1)和高压输出级(3)之间设有缓冲级(2)，电平转换级(1)的输出(HV2)接缓冲级(2)的第一输入端，第三控制信号(LV3_1、LV3_2、……LV3_n)接缓冲级(2)的其他输入端，缓冲级(2)的输出(HV3_n)接高压输出级(3)的第一输入端。
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