[发明专利]聚光/分光高效四结太阳电池无效
| 申请号： | 200810020794.2 | 申请日： | 2008-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101241943A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张耀辉;宋贺伦;杨辉;黄伍桥;董建荣 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0232;H02N6/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚光 分光 高效 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚光/分光高效四结太阳电池，包括一聚光系统和至少2个串联连接的子电池，其特征在于：在所述聚光系统和子电池之间，设置有根据波长分光的分光系统，每一出射子光束照射至一个对应所述子电池，对应的子光束的光子能量分布与子电池的带隙配合，串联后的子电池组的低压端接地。
2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于：设有2个串联的子电池，每一子电池为双结的III-V族化合物半导体PN结光电转换子电池，所述分光系统为二向色分光系统。
3.根据权利要求2所述的太阳电池，其特征在于：所述每一双结的III-V族化合物半导体PN结光电转换子电池对应的主吸收峰与照射到该子电池上的分光子光束的光子主能量分布相适应。
4.根据权利要求3所述的太阳电池，其特征在于：所述的III-V族元素选自Ga、In、P、As、Ge。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
