[发明专利]一种具有推拉电子结构的光电纳米复合材料及制备

权利要求书

1.一种具有推拉电子结构的光电纳米复合材料，其特征在于：采用纳米材料修饰具有推拉电子结构的3-烷氧基噻吩-3-对硝基苄氧基噻吩交替聚合物而得，所述纳米材料选自纳米硒化镉、纳米硫化镉或纳米硫化锌中的一种。

2.根据权利要求1所述的具有推拉电子结构的光电纳米复合材料，其特征在于：所述3-烷氧基噻吩-3-对硝基苄氧基噻吩交替聚合物中，所述烷氧基选自丙氧基、丁氧基、辛氧基、癸氧基或十二烷氧基中的一种。

3.一种具有推拉电子结构的光电纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：

(1)将烷基醇和钠按照摩尔比1.1∶1～1.2∶1在1-甲基吡咯烷酮溶液中合成烷基醇钠，再按照烷基醇钠∶3-溴噻吩＝1.1∶1～1.2∶1(摩尔比)，根据所得烷基醇钠的量加入3-溴噻吩制备得3-烷氧基噻吩；

其中，所述烷基醇选自甲醇、正辛醇、正癸醇或正十二醇中的一种；

按照对硝基苄醇∶3-溴噻吩＝1.1∶1～1.2∶1(摩尔比)，在碳酸钾催化下制备3-对硝基苄氧基噻吩；

(2)按照3-烷氧基噻吩∶N-溴代丁二酰亚胺＝1∶2(摩尔比)，在氯仿溶液中将3-烷氧基噻吩溴化，再按照摩尔比1∶2将溴化3-烷氧基噻吩与格氏试剂进行格氏反应，得到3-烷氧基噻吩的格氏试剂；

(3)在占单体量0.5％(摩尔比)偶联反应催化剂的作用下，将1∶1(摩尔比)的3-烷氧基噻吩的格氏试剂与3-对硝基苄氧基噻吩的格氏试剂聚合反应，得到具有推拉电子结构的3-烷氧基噻吩-3-对硝基苄氧基噻吩交替聚合物；

(4)按照3-烷氧基噻吩-3-对硝基苄氧基噻吩交替聚合物重复单元的摩尔数：氯化镉或氯化锌的摩尔数＝5∶1～1∶5，在DMF溶液中制备聚噻吩衍生物-Cd²⁺或聚噻吩衍生物-Zn²⁺，再与硫化钠或亚硫酸硒钠反应，原位生成聚噻吩衍生物纳米复合物。

4.根据权利要求3中所述光电纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述偶联反应催化剂是Ni(dppp)Cl₂。