[发明专利]近室温高阻尼金属基复合材料及其制备方法

权利要求书

1、一种近室温高阻尼金属基复合材料，包括陶瓷与金属的混合体，其特征在于：所述陶瓷与金属间的质量比为1～2∶1～19，所述陶瓷为钽/铌酸镧锂粉体，其粒径为0.1～15μm，所述金属为铝粉体，或铝合金粉体，或锌粉体，或锌合金粉体，或镁粉体，或镁合金粉体，或锌铝合金粉体，或镁铝合金粉体，其粒径为1～140μm。

2、根据权利要求1所述的近室温高阻尼金属基复合材料，其特征是钽/铌酸镧锂为在其镧位掺杂钾，其中，钾的掺杂量x的取值范围为0≤x≤0.25。

3、根据权利要求1所述的近室温高阻尼金属基复合材料，其特征是钽/铌酸镧锂为在其镧位掺杂锶或钙，其中，锶或钙的掺杂量x的取值范围为0≤x≤1。

4、根据权利要求1所述的近室温高阻尼金属基复合材料，其特征是钽/铌酸镧锂为在其镧位掺杂钡，其中，钡的掺杂量x的取值范围为0≤x≤1.25。

5、根据权利要求1所述的近室温高阻尼金属基复合材料，其特征是钽/铌酸镧锂为在其镧位和钽/铌位掺杂铟，其中，铟的掺杂量y的取值范围为0≤y≤0.25。

6、一种权利要求1所述近室温高阻尼金属基复合材料的制备方法，包括粉末冶金法，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，按照钽/铌酸镧锂的成分比，称取相应量的氧化镧、碳酸锂和五氧化二钽/五氧化二铌，经球磨、于650～750℃下保温5～7h，再经球磨和于850～1050℃下保温5～7h，获得钽/铌酸镧锂粉体；

步骤2，先将钽/铌酸镧锂粉体与金属混合后得到混合体，再将混合体于300MPa以上的压力下压制成胚体，之后，将胚体在惰性气体中于650～900℃下保温9h以上，制得近室温高阻尼金属基复合材料。

7、根据权利要求6所述的近室温高阻尼金属基复合材料的制备方法，其特征是两次球磨的时间均为10h以上。

8、根据权利要求6所述的近室温高阻尼金属基复合材料的制备方法，其特征是胚体的形状为片状或条状。

9、根据权利要求6所述的近室温高阻尼金属基复合材料的制备方法，其特征是惰性气体为氩气或氮气，其纯度为99.9％以上。

10、根据权利要求6所述的近室温高阻尼金属基复合材料的制备方法，其特征是升温至650～900℃时的升温速率为1～10℃/min。