[发明专利]一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法有效
| 申请号： | 200810023121.2 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101320207A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘全;吴建宏;杨卫鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G02B5/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 全息 离子束 刻蚀 制备 光栅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种全息-离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度；所述氩离子束刻蚀时，离子能量480～510ev，离子束流80～120mA，加速电压250～300v，工作压强2.0×10-2Pa。
2.根据权利要求1所述的全息-离子束刻蚀制备光栅的方法，其特征在于：所述三氟甲烷反应离子束刻蚀时，离子能量370～400ev，离子束流80～100mA，加速电压250～280v，工作压强1.3×10-2Pa。
3.根据权利要求1所述的全息-离子束刻蚀制备光栅的方法，其特征在于：制备获得的所述光栅的空频为150～1500线/毫米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学，未经苏州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810023121.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
