[发明专利]弯曲不敏感低水峰单模光纤及其制备方法无效
申请号: | 200810023354.2 | 申请日: | 2008-04-09 |
公开(公告)号: | CN101251619A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 薛济萍;沈一春;薛群山;庄卫星;曹珊珊;钱宜刚 | 申请(专利权)人: | 中天科技光纤有限公司 |
主分类号: | G02B6/036 | 分类号: | G02B6/036;C03B37/012 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 | 代理人: | 奚胜元 |
地址: | 226009江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弯曲 敏感 低水峰 单模 光纤 及其 制备 方法 | ||
1. 一种弯曲不敏感低水峰单模光纤,其特征在于结构包括纤芯、内外包层、两层紫外固化涂料层,在纤芯外部包裹有内包层、外包层,外包层外部有两层紫外固化涂料层。
2. 根据权利要求1所述的弯曲不敏感低水峰单模光纤,其特征在于弯曲不敏感低水峰单模光纤的零色散波长为1300~1324nm之间,零色散斜率不大于0.092ps/nm2·km,光缆截止波长不大于1260nm,该光纤的指标基本等同于常规G.652指标;该光纤的模场直径是8.8±0.4μm,该光纤的弯曲性能可以描述如下:1圈,Φ20mm引起的弯曲损耗在1550nm波长不大于0.1dB,在1625nm波长处为不大于0.5dB。
3. 权利要求1所述的弯曲不敏感低水峰单模光纤的制备方法,其特征在于制备方法为:
(1)预制棒棒型选取
通过试验对比,将不同棒型生产光纤进行性能对比,选择棒型:芯棒加套管组合棒,该棒型分为芯棒与套管两部分,根据试验选择芯棒与套管的比例(套管与芯棒截面积之比范围在10~15∶1),来进行芯包比例控制、从而能保证模场直径(MFD)值在一定范围;
(2)芯棒表面清洗、腐蚀控制
选定相应组合棒后,对芯棒和套管表面进行酸液清洗,酸液采用氢氟酸与硝酸混合溶液,酸液浓度保持在30%~80%,对芯棒表面进行腐蚀量控制;
(3)组装上塔拉丝
将芯棒套管两部分进行组装,组装时为了保证水气循环,设计有组装部件,将芯棒、套管两部分进行组装,该组装部件包括底座、固定螺钉、通水及密封板、冷却水管、固定螺母、限位压头等。组装时将芯棒装入套管内,用密封板密封并固定,固定螺钉连接底座和密封板、用固定螺帽紧固,用压头加强密封效果,在密封板上装有冷却水管,然后在生产线上装棒拉制光纤,开始拉丝后,在起始盘控制截止波长、调节拉丝张力,加大人为监控力度,在生产至1/5棒左右,调节组装部件控制螺钉,加大抽真空力度,使芯棒上移,控制模场直径(MFD)值在8.4~9.2μm,同时进行温度调节(保持在1850℃~2100℃),张力调节保持在150~220g范围内,将截止波长保持在一定范围1260~1360nm,正常进行生产;
光纤在炉中经过高温区加热,加热温度为1850℃~2200℃,一次拉制产生包括纤芯与内外包层的裸光纤,经过冷却装置后,采用紫外固化涂料,进行一次、二次涂覆,每次涂覆后经过固化,固化后光纤采用偏振模色散搓动轮对光纤进行正弦搓动,搓动后光纤经双收线系统收线,结束后进入下一道工序;
(4)光纤性能参数验证
经过本发明制备方法制得的光纤,采用进口PK系列仪器(PK2400、PK2200、OTDR、PK2800)进行性能测试,能够满足国家电信行业通用G.652标准,且据文献报道,光纤中OH-含量和光纤在1383nm的水峰是有一定关系的,OH-含量在1ppm时,对应光纤在1383nm处的衰减是60dB/km,而现在低水峰光纤在1383nm处小于0.35dB/km,为了降低在1383nm的水峰,必须降低拉制光纤的H+含量,本发明采用氘气处理法,将待处理的弯曲不敏感低水峰单模光纤半成品放置在氘气反应容器里,对该容器抽真空,真空度达到680~720mmHg后充入纯度约99.9%的氮气,循环抽真空至少3次后,往容器内通入纯度大于99%的氘气和纯度大于99.9%的氮气,形成混合气体,氘气浓度占1-5%,工作容器中正常压力为0.3-1.5kg,安全压力为2kg,24h内压力降低不高于4%,反应时间在24-48h,气体工作温度在18~25℃,通过该法,使氘气中的D+置换光纤内部H+,减少H+与OH-结合概率,降低水峰;
经检测:该种光纤在1圈,Φ20mm引起的弯曲损耗在1550nm波长不大于0.1dB,在1625nm波长处为不大于0.5dB,且经过百米截断试验满足弯曲性能均匀性的要求,性能参数符合国际电信联盟-电信标准部(ITU-T)G.657纤的标准,即制得弯曲不敏感低水峰单模光纤,弯曲不敏感光纤的零色散波长为1300~1324nm之间,零色散斜率不大于0.092ps/nm2·km,光缆截止波长不大于1260nm,该光纤的指标等同于常规G.652指标;该光纤的模场直径是8.8±0.4μm,光纤在1310nm的衰减不大于0.35dB/km,在1550nm的衰减不大于0.21dB/km。
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