[发明专利]通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法有效

专利信息
申请号: 200810023437.1 申请日: 2008-04-14
公开(公告)号: CN101289172A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 谢自力;张荣;聂超;刘启家;刘斌;李弋;修向前;韩平;赵红;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群;郑有炓 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: C01B21/06 分类号: C01B21/06;C01G15/00
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 代理人: 黄明哲
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 通过 相传 法制 inn 纳米 方法
【权利要求书】:

1.通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法,其特征是以GaAs或Si或蓝宝石做为衬底,将所使用的衬底材料切片,使其自然解理,自然解理面为(110)面或(111)面,通过气相传输法在衬底的自然解理面上生成InN纳米线和纳米棒:

使用管式电子加热炉,通入保护气体氮气和反应气体氨气,并将管式电子加热炉加热到500℃-1100℃,其中管式电子加热炉的中心温度加热到700℃-1000℃,沿管式电子加热炉内的气体流动方向,管式电子加热炉后端为500℃-900℃的低温区域;金属铟放置在石英舟内,石英舟放置在管式电子加热炉中心,在石英舟后面设有石墨基底,衬底放置在石墨基底上,并设置在管式电子加热炉500℃-900℃的温区范围内;900℃时金属铟开始汽化,同时氨气开始分解,铟蒸汽和分解了的氨气发生反应,同时随着气流向管式电子加热炉后端输运,到达衬底位置时,在衬底的自然解理面上沉积成核,生长出InN纳米线和纳米棒;

反应在常压下进行,通入的保护气体氮气和反应气体氨气的流速从0L/min逐渐升至10L/min后保持,使用的金属铟纯度99.99%,氨气纯度99.999%,氮气纯度99.9995%。

2.根据权利要求1所述的通过气相传输法制备InN纳米线和纳米棒的方法,其特征是衬底设置在管式电子加热炉的550℃温区。

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