[发明专利]一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法无效
| 申请号： | 200810023485.0 | 申请日： | 2008-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101261441A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陈明勇 | 申请（专利权）人： | 芯硕半导体（中国）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230601安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无掩膜 光刻 系统 曝光 图形 临近 效应 校正 方法 | ||
1、一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法，在使用空间光调制器件作为图形发生器的无掩模光刻系统中，入射光入射到空间光调制器件上，空间光调制器上产生设计图形，通过光学投影元件，以一定的放大倍率投影到光敏感元件的衬底上，产生曝光图形，并在曝光图形上产生衬线、灰度条等辅助图案减小因衍射受限引起的线尾收缩和内角扩散现象，其特征在于：利用空间光调制器件的灰度调制能力，在空间光调制器上的设计图形外围或边沿加入灰度衬线，和/或改变设计图形的局部或全部的灰度，并通过优化算法进行成像模拟，最终获得较优的曝光图形，以减小因临近效应带来的曝光图形失真。
2、根据权利要求1所述的一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法，其特征在于：是在空间光调制器上的设计图形的线尾和内角的外围或边沿加入灰度衬线，以及将设计图形的局部采用灰度图形，并通过优化算法进行成像模拟，最终获得较优的曝光图形，以减小因临近效应带来的曝光图形失真。
3、根据权利要求1所述的一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法，其特征在于：所述的空间光调制器件是改变透过率的器件LCD，或者是通过时间脉冲调制来产生灰度的器件DMD。
4、根据权利要求1所述的一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法，其特征在于：所述的临近效应是指由于光刻镜头衍射受限而引起的图像细节丢失，图像变形的现象。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
