[发明专利]晶圆级电迁移性能测试的改善方法无效
| 申请号： | 200810023822.6 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101562145A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 彭昶 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 地址： | 215025江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级电 迁移 性能 测试 改善 方法 | ||
【权利要求书】：
1.晶圆级电迁移性能测试的改善方法，即使用机台型号为“Agilent 4070”的测试系统，并使用量测探针两端分别相连于电流电压源及待测对象 的端口，对其输入电流及负载端电压进行量测，得出在晶片状态下器件的电 迁移性能，其特征在于：在所述机台的测试程式中增加限压设定及限流设 定，对量测探卡的输出电压限制40V以下、限制电流设定为100mA，使电 流输入端的电压被限定在测试系统额定电压之内；并增加一控制命令，用于 在判断功率超过2W的测试系统额定值时，退出测试。
2.根据权利要求1所述的晶圆级电迁移性能测试的改善方法：其特征 在于：所述的量测端电流电压源的最大电压量测能力为100V。
3.根据权利要求1所述的晶圆级电迁移性能测试的改善方法：其特征 在于：所述的限定电压为40V，限定电流为100mA。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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