[发明专利]绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法

权利要求书

1.一种绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方法，其特征在于包 括以下步骤：

(1)提供一绝缘导热金属基板；

(2)将该基板置入等离子反应室中并通入混有高侵蚀性气体的气体混合 物，对该金属基板的表面做不规则性地侵蚀以形成纳米级表面粗糙度；

(3)将该等离子反应室中等离子化学气相沉积，产生自由基等离子，并在 该金属基板的表面形成多层高导热涂层；

(4)在形成有多层高导热涂层的金属基板表面涂布一层高导热绝缘胶；

(5)在多层高导热涂层且涂布高导热绝缘胶的金属基板外层溅镀上金属导 电层与金属防护层；

(6)抗蚀刻膜屏蔽电路图的导体部分，蚀刻去除非导体部分，再脱去抗蚀 刻膜；

(7)印刷液态感光防焊油墨。

2.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该金属基板的表面为条状、平面、曲面或三维形状。

3.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该金属基板为铜合金、不锈钢、Ni-Ti合金、镁合金或铝合金 之一。

4.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该等离子反应室为批次式或连续式化学气相沉积反应室。

5.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：该金属基板在进入等离子反应室前已经过前处理，前处理包 括脱脂、酸洗、清洗。

6.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(2)中的气体混合物中还包括反应性气体或惰性气体。

7.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(2)中的高侵蚀性气体为CF₄、CF₂Cl₂、Cl₂中的一种或几种。

8.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(3)中的高导热涂层包括等离子界面转换层及等离子高导 热绝缘层，且多层高导热涂层为复合堆栈而成。

9.根据权利要求8所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的方 法，其特征在于：步骤(3)的具体步骤包括：

(3-1)将混有硅源前驱物的气体混合物通入该等离子反应室中，通过等离子 活化该气体混合物而在等离子反应室中产生第一自由基等离子，第一自由基等 离子靠着低压气相扩散在该金属基板的表面产生等离子界面转换层；

(3-2)将混有金属或陶瓷的化学前驱物的气体混合物通入该等离子反应室 中，通过等离子活化该气体混合物而在等离子反应室中产生第二自由基等离子， 第二自由基等离子靠着低压气相扩散在该等离子界面转换层的表面产生等离子 高导热绝缘层。

10.根据权利要求9所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的 方法，其特征在于：步骤(3-1)的气体混合物还包括反应性气体，反应性气体为 气态氧或水蒸气。

11.根据权利要求9所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的 方法，其特征在于：步骤(3-2)的气体混合物还包括反应性气体和惰性气体。

12.根据权利要求10所述的绝缘导热金属基板上真空溅镀形成导电线路的 方法，其特征在于：步骤(3-2)的反应性气体为O₂、N₂、H₂O或NH₃。

13.根据权利要求1所述的绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于： 步骤(4)中高导热绝缘胶为紫外线固化型、热固型或紫外线固化型混合热固型之 一。