[发明专利]一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法无效
| 申请号： | 200810024961.0 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101281884A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 马忠元;徐岭;郭四华;甘新慧;戴敏;廖远宝;刘冬;徐骏;李伟;陈坤基 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/316;H01L21/283;H01L33/00;C23C14/30;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210093江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光电 集成 器件 siox 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，包括以下步骤：
第一步骤、清洗硅片衬底，并去除其表面自然氧化层后干燥；
第二步骤、蒸发薄膜
2-1、将清洗后的硅片衬底放入电子束蒸发沉积装置的反应腔，在电子束蒸发的过程中通入所需流量的O2，在硅片衬底正面获得所需氧配比的SiOx薄膜；
2-2、快速热退火，使SiOx薄膜中的Si先析出成核、结晶；
2-3、恒温退火处理，使结晶核继续长大，生成镶嵌有纳米硅量子点的二氧化硅薄膜；
第三步骤、制备器件的电极
3-1、在镶嵌有纳米硅的SiO2薄膜上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；
3-2、在硅片衬底背面淀积导电薄膜作为发光器件的阳极。
2.根据权利要求1所述可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤2-1中按流量10sccm-60sccm充入氧气，所述SiOx薄膜中X的值控制在0.1至2之间。
3.根据权利要求2所述可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，其特征在于：，所述步骤2-3中纳米硅量子点的尺寸控制在2nm-10nm。
4.根据权利要求3所述可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤2-1中电子束蒸发沉积装置反应腔的加热温度控制在至100℃～300℃。
5.根据权利要求4所述可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤2-1中电子束蒸发沉积装置反应腔的真空室抽真空至3.1～6X10-4Pa。
6.根据权利要求5所述可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，其特征在于：所述步骤2-1中电子束蒸发沉积装置反应腔的电源功率调节至30W～150W，蒸发沉积时间6-60秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
