[发明专利]硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及其设备无效

专利信息
申请号: 200810025197.9 申请日: 2008-04-30
公开(公告)号: CN101276855A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 曾春红;王敏锐;张宝顺 申请(专利权)人: 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人: 陈忠辉
地址: 215125江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 清洗 制绒 干燥 工艺 及其 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及硅太阳能电池清洗、制绒、干燥方法及一体化处理机。

背景技术

太阳能光伏电池是新技术和可再生环保型能源的重要组成部分,是当今世界最有发展前景的能源技术。硅太阳能电池是光伏电池的核心部分,高效的硅太阳能电池需要通过一系列的技术来完成硅表面处理。目前在硅太阳能电池的表面处理上,主要沿用传统的RCA方法对硅片进行清洗,该工艺完成对硅片的清洗需要耗费大量的化学试剂和水源,其中大部分化学试剂对操作者和环境都会带来相当大污染和危险。

当前,清洗制绒是一个十分复杂的过程,制绒工艺采用搅拌、N2鼓泡的方法,高耗能,高污染,加工纹理容易出现粗糙度不一致现象。蚀刻清洗需消耗大量强酸强碱,用水量很大,工艺复杂,设备造价相当昂贵。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术存在的不足,提供一种硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺及其设备。

本发明的目的通过以下技术方案来实现:

硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺,具体的步骤为:

①兆声波槽式清洗制绒:利用兆声在去离子水中产生O3,并在去离子水中添加NaOH及IPA,O3的溶解度在10ppm以上,NaOH与IPA的比例在1∶6,NaOH浓度在2%~4%,温度控制在60℃下进行清洗制绒;

②制绒后的清洗:采用含有HF、O3的水溶液,HF浓度为2%~5%,O3的溶解度在5~10ppm,并在N2鼓泡系统下进行清洗;

③以上清洗后,在硅片被抬出液面时进行干燥处理,干燥槽的上方安装有一组N2的喷嘴,使硅片被抬出水面后就与高浓度的N2直接接触,采用含有饱和IPA的N2进行干燥处理,然后装片。

进一步地,上述的硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺,步骤①兆声波槽式清洗制绒,其中兆声波频率为1MHZ以上,功率50~600W可调。

更进一步地,硅太阳能电池清洗、制绒、干燥工艺的设备,特点是:包括兆声清洗制绒槽、清洗干燥槽及装片台,兆声清洗制绒槽、清洗干燥槽及装片台三者呈并排布置,其中,兆声清洗制绒槽配置有兆声波发生装置,清洗干燥槽配置有N2鼓泡装置,兆声清洗制绒槽上方和清洗干燥槽上方分别安装有清洗篮升降装置,两升降装置与横移装置驱动连接,另外,在清洗干燥槽上方安装有N2气氛装置。

本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在:

本发明工艺采用兆声波槽式清洗去损伤层、完成制绒,和N2鼓泡下的槽式清洗、干燥。整个过程中都采用槽式清洗,在生产上最大效益的节约成本,在前段的清洗、制绒过程中采用了兆声波,使制绒的均匀性得到充分保障,在制绒后清洗中使用氧化性极强的O3,很好的清除K离子,延长硅片的寿命;整个清洗、制绒、干燥过程采用极少量的化学试剂,有效减少了环境污染,大大节约了水资源,工艺十分简洁。

附图说明

下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:

图1:本发明清洗、制绒、干燥设备的结构示意图。

图中各附图标记的含义见下表:

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