[发明专利]一种发光二极管制作工艺无效
| 申请号： | 200810025294.8 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101276865A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 曾金穗;曾文煌;薛宝林 | 申请（专利权）人： | 扬州华夏集成光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所 | 代理人： | 张荣亮 |
| 地址： | 225009江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作 工艺 | ||
【权利要求书】：
1、一种发光二极管制作工艺，其结构依次为P电极、窗口层、发光区、衬底和N电极，制作工艺首先在包括窗口层、发光区和衬底的外延片的窗口层上做层底金合金，其特征是所述的制作工艺还依次包括在底金合金上镀厚铝，开图光刻形成P电极，然后研磨减薄已形成P电极后的外延片的衬底，最后在衬底上蒸镀N型导电物质形成N电极。
2、根据权利要求1所述的一种发光二极管制作工艺，其特征是所述的N型导电物质为氧化铟锡。
3、根据权利要求1所述的一种发光二极管制作工艺，其特征是所述的蒸镀在ITO蒸镀机中进行，蒸镀条件：P为1A/S，温度210-220℃，真空度10×10-6，氧流量为10sccm。
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