[发明专利]近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器无效
| 申请号： | 200810025450.0 | 申请日： | 2008-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101282022A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李海军;王敏锐;张晓东;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/028;B82B1/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 近场 光学 增强 纳米 阵列 通光孔 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器，其特征在于：在半导体激光器的出光端面镀有金属薄膜层，在金属薄膜层上制作有纳米孔阵列，纳米孔阵列的周围具有光栅结构。
2.根据权利要求1所述的近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器，其特征在于：所述金属薄膜层的材质为金、或银、或铝、或铬，金属薄膜层的厚度在20～300nm。
3.根据权利要求1所述的近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器，其特征在于：所述纳米孔阵列的形状为方形、或圆形、或椭圆形、或半圆形、或双C形、或双三角形，其数量为2～10个。
4.根据权利要求3所述的近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器，其特征在于：所述的纳米孔阵列排列成三角形、或圆形、或多边形、或环形。
5.根据权利要求1所述的近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器，其特征在于：所述光栅结构的光栅周期为10～200nm，光栅围绕纳米孔排列成圆形、或半圆形、或多边形、或C形。
6.根据权利要求1所述的近场光学增强型纳米阵列通光孔激光器，其特征在于：所述的半导体激光器为边发射半导体激光器或面发射半导体激光器。
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