[发明专利]具有多层辐射式蒸发源分布结构的多源真空蒸镀装置

权利要求书

1.一种具有多层辐射式蒸发源分布结构的多源真空蒸镀装置，其特征在于沿真空腔室(100)内的纵向中心轴自上而下，有三个水平面结构，分别为样品基架水平面(140)、蒸发源位置水平面(160)和真空室底盘水平面(170)；真空腔室(100)前方为一个全开的门(110)，在门上设有能够观查样品和蒸发源的观察窗(111)；真空腔室(100)的后下方设有高真空获得通道(120)与真空泵相连；在真空腔室(100)的正上方是控制样品基架的旋转动力装置(130)，样品基架水平面(140)连接在旋转动力装置(130)的下方；真空室底盘水平面(170)位于真空腔室(100)内的底部，用来提供控制真空腔室(100)的各种操作的接口，接口以法兰密封，通向外部。

2.根据权利要求1所述的具有多层辐射式蒸发源分布结构的多源真空蒸镀装置，其特征在于样品基架水平面(140)包含样品基架旋转盘(145)、中心膜厚探头(146)、多个分布于样品基架旋转盘上的第一待蒸镀样品位置(1)、第二待蒸镀样品位置(2)、第三待蒸镀样品位置(3)、第四待蒸镀样品位置(4)、第一样品独立小挡板(141)、第二样品独立小挡板(142)、第三样品独立小挡板(143)、第四样品独立小挡板(144)、第一掩膜板(147)、第二掩膜板(148)；中心膜厚探头(146)置于样品基架旋转盘(145)的中心，与其上方的旋转动力装置(130)同轴心；多个待蒸镀样品位置均匀分布在样品基架旋转盘(145)上，用以放置待蒸镀样品；样品独立小挡板分别置于每个样品的下方，为扇形，其中心位置提供挡板功能，而在其左右分别放置第一掩膜板(147)和第二掩膜板(148)；样品的大挡板(150)置于样品基架旋转盘(145)的下方，提供所有样品的共同开始蒸镀和共同结束蒸镀控制；样品基架旋转盘(145)通过其上方的旋转动力装置(130)与外部相联系，提供待蒸镀样品的转动。

3.根据权利要求1所述的具有多层辐射式蒸发源分布结构的多源真空蒸镀装置，其特征在于，在蒸发源位置水平面(160)的位置是蒸发源的分布区域，以中心位置为圆心，在不同半径的外环(161)和内环(163)范围内排列多个电极：即外环第一电极(161-1)、外环第二电极(161-2)、外环第三电极(161-3)、……、外环第m电极(161-m)、内环第一电极(163-1)、内环第二电极(163-2)、内环第三电极(163-3)、……、内环第i电极(163-i)，其中m为不大于20的正整数，i为不大于10的整数；在外环(161)和内环(163)之间，是公共接地圆环(162)，其上设有第一夹具位(162-1)、第二夹具位(162-2)、第三夹具位(162-3)、……、第k夹具位(162-k)，其中k等于m和n中的较大的一个数值；在公共接地圆环(162)的附近设有防止蒸发污染的纵向挡板；将蒸发舟连接在外环第m电极(161-m)和第k夹具位(162-k)之间，形成外层第m个蒸发源(S-m)；将蒸发舟连接在内环第i电极(163-i)和第k夹具位(162-k)之间，形成内层第i蒸发源(SS-i)；通常地，金属蒸发源置于内层第i蒸发源(SS-i)上，使其与上方的样品基架基本保持垂直，以此杜绝影子效应的产生。

4.根据权利要求1所述的具有多层辐射式蒸发源分布结构的多源真空蒸镀装置，其特征在于，在真空室底盘水平面(170)上设有第一电极位(17-1)、第二电极位(17-2)、第三电极位(17-3)、第四电极位(17-4)、……、第n电极位(17-n)，其中n为不大于40的正整数；电极位的分布与蒸发源水平面(160)内的蒸发源分布相匹配，电极的高度与蒸发源位水平面(160)的高度相匹配。