[发明专利]高方形比非晶纳米晶带材及铁芯的制作

说明书

技术领域

本发明属于非晶制带技术领域，更具体是涉及一种高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材及铁芯的制作。

背景技术

在非晶制带技术领域中，有些产品(铁芯)对Br/Bs的特殊要求，即要求Br/Bs≥0.94，而目前常见的铁芯并不能达到这个要求。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的缺陷，提供一种高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材，由本发明的非晶纳米晶带材制成的铁芯的Br/Bs≥0.94。

本发明的另一目的在于提供铁芯的制作过程。

为达到上述目的，本发明采取了如下的技术方案：

高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为：

Fe-xCu-yV-zSi-Si-aB-b；

其中：75＜x＜85；0.6＜y＜1.5；5＜Z＜8；6＜a＜10；1＜b＜1.7。

铁芯的制作过程，包括如下步骤：

1.按照高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一般厚度为20um～35um)；

2.把(1)步骤中的材料卷绕成环行铁芯，装入真空或气体保护的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理；出炉后进行磁性能测试：Br/Bs≥0.95。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本发明所提供的高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材制成的铁芯的Br/Bs≥0.95，可以满足某些特殊产品的需求。

具体实施方式

以下结合具体实施例来对本发明作进一步的描述，但本发明所要求保护的范围并不局限于实施方式所要求之范围。

实施例1

高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为：

Fe-80Cu-1.0V-6Si-Si-8B-1.5；

其中：75＜x＜85；0.6＜y＜1.5；5＜Z＜8；6＜a＜10；1＜b＜1.7。

铁芯的制作过程，包括如下步骤：

1.按照高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一般厚度为22um)；

2.把(1)步骤中的材料卷绕成环行铁芯，装入真空或气体保护的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理；出炉后进行磁性能测试：Br/Bs≥0.95。

实施例2

高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为：

Fe-82Cu-1.2V-7Si-Si-7B-1.2；

其中：75＜x＜85；0.6＜y＜1.5；5＜Z＜8；6＜a＜10；1＜b＜1.7。

铁芯的制作过程，包括如下步骤：

1.按照高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一般厚度为28um)；

2.把(1)步骤中的材料卷绕成环行铁芯，装入真空或气体保护的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理；出炉后进行磁性能测试：Br/Bs≥0.95。

实施例3

高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材，组成结构式为：

Fe-72Cu-0.8V-6.5Si-Si-9B-1.2；

铁芯的制作过程，包括如下步骤：

1.按照高方形比(Br/Bs)非晶纳米晶带材的组成比例，将它们熔化；合金化后炼成母合金，然后二次熔化；通过速冷制成非晶带材(一般厚度为34um)；

2.把(1)步骤中的材料卷绕成环行铁芯，装入真空或气体保护的磁场退火炉内，加一定量的纵向磁场，按照退火工艺进行退火处理；出炉后进行磁性能测试：Br/Bs≥0.95。