[发明专利]半导体发光元件有效

专利信息
申请号: 200810027087.6 申请日: 2008-03-25
公开(公告)号: CN101546795A 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 张简千琳;苏宏元;林贞秀 申请(专利权)人: 旭丽电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510663广东省广州市广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种半导体发光元件,包含:

一壳体,具有一基壁,及一由该基壁的上表面周缘往上凸伸的周壁,在该基壁中央处形成有一穿孔,该基壁与该周壁共同界定一凹槽,且围绕该凹槽的壁面为一漫射面;

一导热体,设于该基壁的下表面侧,且该导热体的部分区域位于该穿孔底侧,使该穿孔处形成一内槽;

一半导体芯片,设于该导热体上并位于该内槽中;

一封装胶体,覆盖于该半导体芯片上,并充满该内槽及该凹槽;及

一荧光层,覆盖于该封装胶体表面;

其中,该壳体还具有一由该基壁的上表面沿该穿孔周缘往上凸伸的凸部,并使该内槽往上延伸。

2.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该壳体还具有一由该基壁的部分下表面往内凹陷而成的凹部,该凹部的范围涵盖该穿孔的区域,且该导热体嵌设于该凹部处。

3.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于还包含一设于该壳体上且未与该导热体接触的导线架,用以使该半导体芯片与一外部电路电连接。

4.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体的折射率小于或等于该荧光层的折射率。

5.依据权利要求1或4所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体的折射率小于或等于该半导体芯片的折射率。

6.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体包括一位于该内槽中的内层及一位于该内槽外的外层,且该外层的折射率小于该荧光层的折射率。

7.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体包括一位于该内槽中的内层及一位于该内槽外的外层,且该外层的折射率小于该内层的折射率。

8.依据权利要求6所述的半导体发光元件,其特征在于,该内层的折射率小于或等于该半导体芯片的折射率。

9.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该穿孔呈方形。

10.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体由具有高穿透性的透光材料所制成。

11.依据权利要求10所述的半导体发光元件,其特征在于,该透光材料选自环氧树脂或硅胶。

12.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,围绕该凹槽的壁面为粗糙表面以形成该漫射面。

13.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该半导体芯片发出的光线,入射该漫射面产生反射光的反射率中,漫射率大于镜射率。

14.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该半导体芯片为发光二极管。

15.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该壳体由具有官能基的材料所制成,该官能基选自环氧基、C1-C6烷基、苯基或胺基中的至少一者。

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