[发明专利]半导体发光元件有效
申请号: | 200810027087.6 | 申请日: | 2008-03-25 |
公开(公告)号: | CN101546795A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 张简千琳;苏宏元;林贞秀 | 申请(专利权)人: | 旭丽电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510663广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件,包含:
一壳体,具有一基壁,及一由该基壁的上表面周缘往上凸伸的周壁,在该基壁中央处形成有一穿孔,该基壁与该周壁共同界定一凹槽,且围绕该凹槽的壁面为一漫射面;
一导热体,设于该基壁的下表面侧,且该导热体的部分区域位于该穿孔底侧,使该穿孔处形成一内槽;
一半导体芯片,设于该导热体上并位于该内槽中;
一封装胶体,覆盖于该半导体芯片上,并充满该内槽及该凹槽;及
一荧光层,覆盖于该封装胶体表面;
其中,该壳体还具有一由该基壁的上表面沿该穿孔周缘往上凸伸的凸部,并使该内槽往上延伸。
2.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该壳体还具有一由该基壁的部分下表面往内凹陷而成的凹部,该凹部的范围涵盖该穿孔的区域,且该导热体嵌设于该凹部处。
3.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于还包含一设于该壳体上且未与该导热体接触的导线架,用以使该半导体芯片与一外部电路电连接。
4.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体的折射率小于或等于该荧光层的折射率。
5.依据权利要求1或4所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体的折射率小于或等于该半导体芯片的折射率。
6.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体包括一位于该内槽中的内层及一位于该内槽外的外层,且该外层的折射率小于该荧光层的折射率。
7.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体包括一位于该内槽中的内层及一位于该内槽外的外层,且该外层的折射率小于该内层的折射率。
8.依据权利要求6所述的半导体发光元件,其特征在于,该内层的折射率小于或等于该半导体芯片的折射率。
9.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该穿孔呈方形。
10.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该封装胶体由具有高穿透性的透光材料所制成。
11.依据权利要求10所述的半导体发光元件,其特征在于,该透光材料选自环氧树脂或硅胶。
12.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,围绕该凹槽的壁面为粗糙表面以形成该漫射面。
13.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该半导体芯片发出的光线,入射该漫射面产生反射光的反射率中,漫射率大于镜射率。
14.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该半导体芯片为发光二极管。
15.依据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,该壳体由具有官能基的材料所制成,该官能基选自环氧基、C1-C6烷基、苯基或胺基中的至少一者。
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