[发明专利]降低可控硅平均驱动电流的控制装置及其控制方法

权利要求书

1、一种降低可控硅平均驱动电流的控制装置，包括有高压电输入模块(1)、直流电生成模块(2)、微处理器IC模块(3)、电源过零采集模块(4)和可控硅控制模块(5)，其中高压电输入模块(1)的输出端分别与直流电生成模块(2)的输入端连接及与电源过零采集模块(4)连接，直流电生成模块(2)的输出端分别与微处理器IC模块(3)连接、与电源过零采集模块(4)连接及与可控硅控制模块(5)连接，电源过零采集模块(4)的输出端与微处理器IC模块(3)的输入端连接，微处理器IC模块(3)的输出端与可控硅控制模块(5)的输入端连接，微处理器IC模块(3)根据电源过零采集模块(4)产生的电源过零信号Utp2向可控硅控制模块(5)输出可控硅驱动信号Utp3，其特征在于微处理器IC模块(3)向可控硅控制模块(5)输出可控硅驱动信号Utp3的导通时间为ΔT0，ΔT0的范围为：当电源电压频率为50Hz时，ΔT0控制在0.5ms～10ms之间；当电源电压频率为60Hz时，ΔT0控制在0.5ms～8ms之间。

2、根据权利要求1所述的降低可控硅平均驱动电流的控制装置，其特征在于上述微处理器IC模块(3)向可控硅控制模块(5)输出可控硅驱动信号Utp3的导通时间ΔT0的优选范围为：当电源电压频率为50Hz时，ΔT0控制在2ms～5ms之间；当电源电压频率为60Hz时，ΔT0控制在2ms～4ms之间。

3、一种根据权利要求1所述的降低可控硅平均驱动电流的控制装置的控制方法，其特征在于包括以下步骤：

1)电源过零采集模块(4)检测电源电压信号，并将信号送至微处理器IC模块(3)；

2)当电源过零采集模块(4)检测到电源电压过零信号时，微处理器IC模块(3)输出可控硅驱动信号至可控硅控制模块(5)，并对可控硅驱动信号的导通时间ΔT进行计时；

3)当可控硅驱动信号的导通时间ΔT达到设定的导通时间ΔT0时，微处理器IC模块(3)关闭可控硅驱动信号；

4)重复以上步骤1)至步骤3)的过程。

4、根据权利要求3所述的降低可控硅平均驱动电流的控制方法，其特征在于上述设定的导通时间ΔT0的范围为：当电源电压频率为50Hz时，ΔT0控制在0.5ms～10ms之间；当电源电压频率为60Hz时，ΔT0控制在0.5ms 8ms之间。

5、根据权利要求4所述的降低可控硅平均驱动电流的控制方法，其特征在于上述设定的导通时间ΔT0的范围为：当电源电压频率为50Hz时，ΔT0控制在2ms～5ms之间；当电源电压频率为60Hz时，ΔT0控制在2ms～4ms之间。