[发明专利]可应用于交流回路的发光二极管结构及其驱动方法

权利要求书

1.一种可应用于交流回路的发光二极管结构，其特征在于，包括：

一衬底；

一缓冲层，设置于该衬底上方；

一第一发光单元，包括一第一n型层与一第一p型层，位于该基板上方；

一隧道结，位于第一发光单元与第二发光单元之间；

一第二发光单元，包括一第二n型层与一第二p型层，位于该隧道结上方；

一第一电极，与该第一发光单元的第一n型层以及该第二发光单元的第二p型层进行电性连接；以及

一第二电极，连接该隧道结进行电性连接。

2.如权利要求1所述发光二极管结构，其特征在于该发光二极管还包括一氧化层。

3.如权利要求1所述发光二极管结构，其特征在于该衬底的材料可为Sapphire，SiC，Si，GaAs，LiAlO2，MgO，ZnO，GaN，AlN或InN中的任一种。

4.如权利要求1所述发光二极管结构，其特征在于该第一发光单元与第二发光单元发出的光的波长相同或不同。

5.如权利要求1所述发光二极管结构，其特征在于该第一发光单元更包括一第一发光层。

6.如权利要求1所述发光二极管结构，其特征在于该第二发光单元更包括一第二发光层。

7.如权利要求1所述发光二极管结构，其特征在于该第一发光单元的第一n型层是掺Si的n型GaN层。

8.如权利要求1所述发光二极管结构，其特征在于该第一发光单元的第一p型层是掺Mg的p型GaN层。

9.如权利要求1所述发光二极管结构，其特征在于该第二发光单元的第二n型层是掺Si的n型GaN层，而第二p型层是掺Mg的p型GaN层。

10.一种如权利要求1所述发光二极管结构的驱动方法，其特征在于，当向可应用于交流回路的发光二极管结构施加交流电时，在交流电的正半周，使第二发光单元被驱动点亮，且在交流电的负半周，使第一发光单元被驱动点亮。