[发明专利]一种源极驱动的反激变换电路有效

专利信息
申请号: 200810028422.4 申请日: 2008-05-30
公开(公告)号: CN101282088A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 尹向阳 申请(专利权)人: 广州金升阳科技有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335;H02M3/338
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 代理人: 宣国华
地址: 510665广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 激变 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种反激变换电路,特别涉及一种源极驱动的反激变换电路。

背景技术

目前常用的反激变换电路如图1所示,主要由启动电路、吸收电路、变压器T1、第一开关MOS管Q1、频率发生器和输出电路组成。电压输入分三路,一路依次串接启动电路和频率发生器后再接第一开关MOS管Q1栅极;一路经吸收电路后接变压器T1初级绕组N1异名端和第一开关MOS管Q1漏极;一路接变压器T1初级绕组N1同名端,变压器T1初级绕组N1异名端接第一开关MOS管Q1漏极,第一开关MOS管Q1源极接地;变压器T1次级绕组N2两端接输出电路到负载。

其中启动电路为第一电阻R1;吸收电路为第三电阻R3并联第三电容C3后串接第二二极管D2,此部分的作用是吸收变压器T1漏感能量;频率发生器采用电源管理芯片PWMIC;输出电路由第一二极管D1和第一电容C1串接组成,变压器T1次级绕组N2异名端接第一二极管D1阳极,第一二极管D1阴极经第一电容C1后和变压器T1次级绕组N2同名端共地连接,其中第一电容C1两端为电压输出端。

此电路的工作原理是电压经输入端Vin输入后,经第一电阻R1触发电源管理芯片PWMIC开始工作,当电源管理芯片PWMIC输出高电平时,第一开关MOS管Q1开通,电流流入变压器T1初级绕组N1,此时变压器T1进行储能。当电源管理芯片PWMIC输出低电平时,第一开关MOS管Q1关断,电量经变压器T1耦合至变压器T1次级绕组N2,将能量经输出电路提供给负载。由于关断瞬间变压器T1漏感中电量只能经吸收电路释放,即通过第二二极管D2进入RC网络第三电阻R3以及第三电容C3,从而消耗在第三电阻R3上,造成一定的能量损耗,使电路效率降低。如图2所示,由于对第一开关MOS管Q1开通时候的米勒效应没有任何保护措施,从而第一开关MOS管Q1在开通时候电流上会出现一个短时尖峰,而此时第一开关MOS管Q1的开通损耗是得不到控制。

发明内容

本发明目的在于提供一种高效率的反激变换电路,该电路采用源极驱动方式,从而改善电路系统在关断瞬间和导通时的能量损耗。

本发明采用以下方案实现上述目的:一种源极驱动的反激变换电路,包括:启动电路、吸收电路、变压器、第一开关MOS管、频率发生器和输出电路,输入电量分三路接入,第一路接变压器初级绕组N1同名端,变压器初级绕组N1异名端接第一开关MOS管漏极,第二路经吸收电路后接变压器初级绕组N1的异名端和第一开关MOS管漏极,第三路经启动电路接频率发生器和第一开关MOS管栅极,变压器次级绕组N2两端经输出电路后接负载,其特征在于,还包括:第二开关MOS管,其栅极接频率发生器,源极接地,漏极接第一开关MOS管的源极;反馈电路,连接于第一开关MOS管的栅极、源极之间;辅电源电路,连接于第一开关MOS管的栅极和地之间;

其中所述辅电源电路,包括第四二极管和第二电容,第四二极管阴极接第一电阻,第四二极管阳极接地,第二电容并联在第四二极管两端,用于吸收变压器和第一开关MOS管能量后,于下一个工作周期进行放电,将能量回馈给电路使用。

其中所述反馈电路,包括第四电阻和第三二极管,第四电阻串联连接第三二极管的阴极后,第四电阻连接第一电阻,第三二极管阳极接第一开关MOS管源极,用于组成能量释放回路并对第一开关MOS管源极电压进行箝位。

所述的第一开关MOS管和第二开关MOS管都是N沟道型MOS管。

所述的第四二极管是齐纳二极管。

本发明还可以做以下改进:

所述在第一开关MOS管的源极和漏极并联连接一个第五电容,作用是在变压器原边N1的漏感到辅助电源电容C2的通路上加入隔直电容,改善电路动态性能。

所述在第四电阻两端并联连接一个第四电容,作用是在变压器TX1原边N1的漏感到辅助电源电容C2的通路上加入隔直电容,改善电路动态性能。

还增设第五二极管和变压器辅助绕组N3,第五二极管的阳极与变压器辅助绕组N3的同名端串联连接后,第五二极管的阴极接第一电阻,变压器辅助绕组N3的异名端接地。

在小功率或者低电压输入应用中,可去除所述的吸收电路。

本发明相对现有技术优点在于:

因为对第一开关MOS管采用源极驱动方式,实现软启动、软关断,通断过程平缓过渡,能很好的抑制第一开关MOS管在开通时候电流上出现的突发短时尖峰,从而降低了开通损耗,提高产品效率,并且将第一开关MOS管关断瞬间变压器漏感中电量进行利用,进一步提高产品效率。同时为产品频率提高的设计提供可能。

说明书附图

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