[发明专利]一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统

权利要求书

1.一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统，其特征在于包括有氮气气源供给系统(1)、若干个有机金属气源进出管路系统(2)、分别与若干个有机金属气源进出管路系统(2)连接的若干个流量控制系统(3)、压力控制系统(4)，其中氮气气源供给系统(1)包括与氮气气源连接的两个质量流量计(MFC1、MFC2)，其中一个用于控制作为反应气体的氮气流量的质量流量计(MFC1)与反应室(5)直接相连，另一个用于控制作为有机金属气体载气的氮气流量的质量流量计(MFC2)与有机金属气源的进出管路系统(2)相连，每个有机金属气源进出管路系统(2)包括有机金属气源(21)、用于控制有机金属气体的输出和氮气的输入输出的三个控制阀(22、23、24)及其连接管路，其中有机金属气源(21)通过两个控制阀(22、23)及其连接管路分别与氮气气源供给系统(1)及流量控制系统(3)连接，另一个控制阀(24)连接在上述两个控制阀(22、23)之间，流量控制系统(3)包括用于自由切换不同气路，并精确控制各气路流量的质量流量计(MFC3)，压力控制系统(4)包括与若干个流量控制系统(3)连接的压力控制阀(41)、压力控制器(42)、针阀(43)及其连接管路，各流量控制系统(3)依次通过压力控制阀(41)、压力控制器(42)、及针阀(42)与反应室(5)连接。

2.根据权利要求1所述的制备氮化镓薄膜装置中的气路系统，其特征在于上述有机金属气源进出管路系统(2)的三个控制阀(22、23、24)为球阀。

3.根据权利要求1所述的制备氮化镓薄膜装置中的气路系统，其特征在于上述压力控制系统(4)的压力控制阀(41)为球阀。

4.根据权利要求1至3任一项所述的制备氮化镓薄膜装置中的气路系统，其特征在于上述有机金属气源进出管路系统(2)设有3个或3个以上，流量控制系统(3)相应也设有3个或3个以上。