[发明专利]一种去除元件坯体毛边的方法及应用

说明书

技术领域

本发明涉及元件坯体加工技术领域，尤其涉及一种去除敏感元件坯体毛边的方法。

背景技术

现有去除元件坯体的方法为：将已烧结好的陶瓷体放入球磨罐中加水湿磨，利用陶瓷体间的磨擦将毛边或披锋去掉，由于磨的过程中是利用陶瓷体间的刚性碰撞来达到去除毛边的目的，而陶瓷体具有脆性，造成陶瓷体崩边或断裂等诸多问题。或者用机械加工的方法将已烧结好的陶瓷体表面磨平，该方法目前适用于体积较大的陶瓷体的生产上，该方法也会存在陶瓷体崩边不良现象。再或者将刚成型好的坯体放入振动筛中振磨，利用坯体间的磨擦将毛边去除，但该方法也有一定的局限性，一般用于尺寸较大，且坯体硬度较高的实心器件上，对于坯体强度较低的小型或空心器件，该方法也会给陶瓷体边缘造成崩边不现象，甚至出现烂片问题，而且该方法对毛边高度小于0.05mm的细小毛边，去除效果不好。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是去除元件坯体的毛边，使陶瓷坯体表面平整光滑，无崩边、烂片等外观不良现象，提高生产的良品率。

本发明要解决的技术问题是通过以下技术方案实现的：一种去除元件坯体毛边的方法，先将干压成型好的元件坯体进行预烧处理，预烧温度为700℃～1100℃，使预烧后的陶瓷坯体具有一定的强度，但仍未达到成瓷状态。再将磨介、水及预烧好的陶瓷坯体放入行星磨罐中进行磨片处理，当行星磨罐按一定转速运转时，坯片表面在与磨介摩擦的过程中，一些高出平面的毛边部分便会被磨掉；最后清洗烘干。要彻底磨掉毛边且又保护元件坯体不被损坏，控制磨介、水、坯片的加入配比量，并按毛边的大小加以转速、时间等参数来控制。所述的磨介、水、坯片的质量配比是40±10∶18±5∶3±1。所述的磨介是由陶瓷粉粒经高温预烧、球磨、烘干、过筛而成。

进一步：所述行星磨罐转速为35±5转/分钟，时间为5～15分钟。所述的预烧时间为2～5小时。所述的磨介高温预烧温度为1000℃～1300℃。所述的过筛筛网目数为100～120目。陶瓷粉粒是元件坯体成型前的干粉。

使用上述方法去除元件坯体毛边所得的产品，产品外观光滑平整，无毛边、无崩烂的不良现象，该方法用于去除小型敏感元件坯体的毛边，磨后敏感元件坯体外观合格率达99％以上。满足电极印刷及客户对陶瓷体外观的要求。

附图说明

图1是有毛边的环状压敏元件坯体示意图，图2是有毛边的柱状压敏元件坯体示意图，其中1环状压敏元件坯体、2毛边、3柱状压敏元件坯体。

具体实施方式

本发明的主旨是通过控制磨介、水、坯体的加入配比量，并按毛边的大小加以转速、时间等参数来控制，达到去除陶瓷坯体毛边的目的，且产品外观光滑平整，无毛边、产品无崩烂不良现象。下面对本发明的内容作进一步详述，实施例中所提及的内容并非对本发明的限定，温度、时间等各参数的选择可因地制宜而对结果并无实质性影响。

实施例1

一种去除压敏薄片毛边的方法，先将干压成型好的Φ2.8mm xΦ1.5mmx0.4mm环状压敏元件坯体1进行预烧处理，预烧温度为1100℃；再将磨介、水及预烧好的元件坯体放入行星磨罐中进行磨片处理，最后清洗烘干。磨介、水、坯体的质量配比是40∶18∶3。行星磨罐转速为35转/分钟，时间为5分钟。预烧时间为3小时，磨介是由陶瓷粉粒经高温预烧、球磨、烘干、过筛而成。所述的磨介高温预烧温度为1250℃。所述的过筛筛网目数为120目。所述的陶瓷粉粒是元件坯体成型前的干粉。

使用上述方法去除坯体毛边2所得的产品，产品外观光滑平整，无毛边、产品无崩烂不良现象，该方法用于去除环状压敏元件坯体的毛边，磨后敏感器件坯体外观合格率达99％以上。

实施例2

一种去除环状压敏厚片毛边的方法，先将干压成型好的Φ4.2mm xΦ2.8mm x0.7mm环状压敏元件坯体1进行预烧处理，预烧温度为1000℃；再将磨介、水及预烧好的元件坯体放入行星磨罐中进行磨片处理，最后清洗烘干。所述的磨介、水、坯体的质量配比是42∶16∶3。所述行星磨罐转速为35转/分钟，时间为8分钟。预烧时间为3.5小时，所述的磨介是由陶瓷粉粒经高温预烧、球磨、烘干、过筛而成。所述的磨介高温预烧温度为1250℃。所述的过筛筛网目数为120目。所述的陶瓷粉粒是元件坯体成型前的干粉。

使用上述方法去除坯体毛边所得的产品，产品外观光滑平整，无毛边、产品无崩烂不良现象，该方法用于去除小型环状压敏元件坯体的毛边，磨后敏感器件坯体外观合格率达99％以上。

实施例3