[发明专利]一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法

权利要求书

1、一种金属半导体场效应发光晶体管，包括衬底(10)和衬底(10)上的缓冲层(6)；包括在缓冲层(6)之上的第一高掺杂n型层(41)及在第一高掺杂n型层(4)之上依次生长的多量子阱层(3)、p型层(2)；包括在缓冲层(6)之上的第二高掺杂n型层(42)，第一高掺杂n型层(41)与第二高掺杂n型层(42)不相连；包括与第二高掺杂n型层(42)欧姆接触的源电极(8)、与p型层(2)欧姆接触的漏电极(1)；其特征在于缓冲层(6)与第一高掺杂n型层(41)之间以及缓冲层(6)与第二高掺杂n型层(42)之间还包括低掺杂n型层(5)，在衬底(10)和缓冲层(6)中嵌入了与低掺杂n型层相连的SiO₂层(9)；还包括与SiO₂层(9)肖特基接触的栅电极(7)。

2、根据权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于：所述低掺杂n型层(5)为方形。

3、根据权利要求2所述的发光晶体管，其特征在于：所述第一高掺杂n型层(41)、第二高掺杂n型层(42)均为方形。

4、根据权利要求3所述的发光晶体管，其特征在于：所述源电极(8)为长条形。

5、根据权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于：所述SiO₂层(9)为长条形。

6、根据权利要求5所述的发光晶体管，其特征在于：所述栅电极(7)也为长条形。

7、根据权利要求1所述的发光晶体管，其特征在于：所述SiO₂层(9)位于衬底(10)和缓冲层(6)的中心。

8、根据权利要求7所述的发光晶体管，其特征在于：所述SiO₂层(9)为圆形。

9、一种金属半导体场效应发光晶体管的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(a)在衬底(10)上依次生长缓冲层(6)、低掺杂n型层(5)、高掺杂n型层(4)、多量子阱层(3)、p型层(2)；

(b)刻蚀衬底(10)和缓冲层(6)，形成一个凹槽，凹槽至低掺杂浓度层(5)；在所述凹槽内生长SiO₂层(9)；

(c)在p型层(2)选定漏极区，刻蚀p型层(2)、多量子阱层(3)，将漏极区之外的区域刻蚀至高掺杂n型层(4)；

(d)在高掺杂n型层(4)的外露区选定源极区，刻蚀源极区之外的外露区至低掺杂n型层(5)，将高掺杂n型层(4)隔成第一高掺杂n型层(41)和第二高掺杂n型层(42)；

(e)在SiO₂层(9)下面形成肖特基接触的栅电极(7)；第二高掺杂n型层(42)上形成欧姆接触的源电极(8)；在p型层(2)上形成欧姆接触的漏电极(1)。