[发明专利]抗刮耐磨电子装置及其制造方法无效
申请号: | 200810029644.8 | 申请日: | 2008-07-18 |
公开(公告)号: | CN101631438A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 黄志豪 | 申请(专利权)人: | 富港电子(东莞)有限公司;正崴精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H05K5/02 | 分类号: | H05K5/02;B05D7/24;B05D3/00;B32B33/00;B32B9/00 |
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地址: | 523455*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐磨 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种抗刮耐磨电子装置,包括一保护膜,其特征在于:该保护膜由纳米材料制得,其形成于电子装置的表面。
2.根据权利要求1所述的抗刮耐磨电子装置,其特征在于:所述保护膜的厚度为10~20微米。
3.根据权利要求1所述的抗刮耐磨电子装置,其特征在于:所述奈米材料为三氧化二铝(Al2O3)。
4.根据权利要求1所述的抗刮耐磨电子装置,其特征在于:所述纳米材料为氧化锆(ZrO2)。
5.根据权利要求1所述的抗刮耐磨电子装置,其特征在于:所述纳米材料为二氧化硅(SiO2)。
6.一种抗刮耐磨电子装置的制造方法,其步骤如下:
步骤一,将纳米材料制成纳米涂布液;
步骤二,将纳米涂布液均匀涂布于电子装置表面;
步骤三,将涂布有纳米涂布液的电子装置在低于150℃的加热环境下或在室温下使纳米涂布液干燥,而在电子装置表面形成一保护膜。
7.根据权利要求6所述的抗刮耐磨电子装置的制造方法,其特征在于:所述保护膜的厚度为10~20微米。
8.根据权利要求6所述的抗刮耐磨电子装置的制造方法,其特征在于:所述纳米材料为三氧化二铝(Al2O3)。
9.根据权利要求6所述的抗刮耐磨电子装置的制造方法,其特征在于:所述纳米材料为氧化锆(ZrO2)。
10.根据权利要求6所述的抗刮耐磨电子装置的制造方法,其特征在于:所述纳米材料为二氧化硅(SiO2)。
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