[发明专利]一种在柔性基材上制备氧化铟锡导电膜的生产工艺有效
| 申请号： | 200810030396.9 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101654770A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈剑民;来育梅;王伟 | 申请（专利权）人： | 中山市东溢新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中山市科创专利代理有限公司 | 代理人： | 尹文涛 |
| 地址： | 528400广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 基材 制备 氧化 导电 生产工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种在柔性基材上制备氧化铟锡导电膜的生产工艺，其包括 以下步骤：
a、制备ITO溅射靶材：以80重量份氧化铟和10重量份氧化锡 为原料，制粉后混合均匀，经过等静压，压成块后烧结成型；
b、把柔性基材装在放卷辊上，柔性基材幅宽为300mm，放卷辊 与真空室绝缘，使柔性基材具有偏压特点，可适应于所有的直流溅射 和射频溅射工艺；柔性基材温度控制在50℃，再向真空室内的溅射 区充入均匀的氩气和氧气，其中氧气的通入量控制在0.4sccm；利用 步骤a中的溅射靶材，所采用的靶满足其磁场可调，溅射电压为200V， 射频靶的入射功率为4kW，反射功率为100W，并控制沉积速率在 10×10-7mm/s，在柔性基材上进行射频磁控溅射和直流磁控溅射，即 得电阻率为7.0×10-5Ω·cm，透过率为82％的氧化铟锡导电膜。
2.根据权利要求1所述的一种在柔性基材上制备氧化铟锡导电 膜的生产工艺，其中在进行步骤b之前在基材上镀一层二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的一种在柔性基材上制备氧化铟锡导电 膜的生产工艺，其中所述的柔性基材为PMMA、PC、PET或PI中的 一种。
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