[发明专利]含镉荧光半导体量子点的制备方法无效
申请号: | 200810030888.8 | 申请日: | 2008-03-24 |
公开(公告)号: | CN101245247A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 朱明强;刘金华;樊俊兵;徐晓波 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 马强 |
地址: | 4100*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 半导体 量子 制备 方法 | ||
1.一种硒化镉荧光半导体量子点的制备方法,其特征是,该方法为:
a.用氧化镉或醋酸镉或氯化镉作为镉源,在185℃-195℃将所述镉源溶入由油酸和柴油组成的混合溶剂中,油酸与柴油的体积比为1∶5-100,所述镉源在所述混合溶液中的浓度为5mg/ml-35mg/ml,镉源与油酸的摩尔比为1∶2-10,得镉Cd前体溶液;
b.以硒粉作为硒源,在封闭体系中,快速搅拌下将所述硒源在205℃-215℃溶入柴油中,硒粉在柴油中的浓度为4mg/ml-15mg/ml,得硒Se前体溶液;
c.按氧化镉与硒粉摩尔比为1-5∶1,镉前体溶液和硒前体溶液的摩尔浓度比为2-10∶1,镉前体溶液与硒前体溶液的体积比为1∶2-10,合并所述镉前体溶液和硒前体溶液并在150℃-250℃下反应,油酸同时作为生成的量子点的稳定剂,获得硒化镉量子点。
2.根据权利要求1所述硒化镉荧光半导体量子点的制备方法,其特征是,该方法为:
a.用氧化镉作为镉源,在190℃溶于油酸和柴油的混合溶液中,使氧化镉与油酸的摩尔比为1∶2-10,氧化镉在所述混合溶液中的浓度为5mg/ml-35mg/ml,得到镉前体溶液;
b.用硒粉作为硒源,在封闭体系中及210℃、快速搅拌下将硒粉溶于柴油中,硒粉在柴油中的浓度为4mg/ml-15mg/ml,得到硒前体溶液,保持该硒前体溶液在150℃-230℃的温度;
c.将所述镉前体溶液注入到硒前体溶液中,使氧化镉与硒粉摩尔比为1-5∶1,镉前体溶液和硒前体溶液的摩尔浓度比为2-10∶1,镉前体溶液与硒前体溶液的体积比为1∶2-10;在150℃-230℃下进行混合反应,反应时间30s-5min,即得含有硒化镉量子点的反应后溶液;
d.向所述反应后溶液中加入丙酮或乙醇,静置使CdSe量子点形成絮状沉淀,离心,去掉上层液后将流体状的硒化镉沉淀溶解在正己烷中,再次离心后去掉下层沉淀,得到均匀分散在正己烷的硒化镉量子点。
3.一种硫化镉荧光半导体量子点的制备方法,其特征是,该方法为:
a.用氧化镉(CdO)作为镉源,在185℃-195℃将该镉源溶于由油酸和柴油组成的混合溶剂中,氧化镉在所述混合溶液中的浓度为5mg/ml-35mg/ml,氧化镉与油酸的摩尔比为1∶2-10,得镉前体溶液;
b.用硫(S)粉作为硫源,于封闭体系中并在205℃-215℃及快速搅拌下,将该硫源溶入柴油中,硫粉在柴油中的浓度为1mg/ml-8mg/ml,得硫前体溶液;
c.按氧化镉与硫粉摩尔比为1-5∶1,镉前体溶液与硫前体溶液的体积比为1∶2-10,镉前体溶液和硫前体溶液的摩尔浓度比为2-10∶1,合并所述镉前体溶液和硫前体溶液,并在150℃-250℃下反应,获得硫化镉量子点,油酸同时作为生成的量子点的稳定剂。
4.根据权利要求3所述硫化镉荧光半导体量子点的制备方法,其特征是,该方法为:
a.用氧化镉作为镉源,将该镉源在190℃溶于油酸和柴油的混合溶液中,使CdO与油酸的摩尔比为1∶2-10,氧化镉在所述混合溶液中的浓度为5mg/ml-35mg/ml,得到镉前体溶液;
b.用硫粉作为硫源,硫粉在柴油中的浓度为1mg/ml-8mg/ml,于封闭体系中并在210℃及快速搅拌下,将硫粉溶于柴油中,得到硫前体溶液,并保持该硫前体溶液在150℃-230℃的温度;
c.将所述镉前体溶液注入到硫前体溶液中,使氧化镉与硫粉摩尔比为1∶1-5∶1,镉前体溶液和硫前体溶液摩尔浓度比为2-10∶1,镉前体溶液与硫前体溶液的体积比为1∶2-10;在205℃-215℃下进行混合反应,反应时间30s-5min,即得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学,未经湖南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810030888.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种移动式滑道救援方法及装置
- 下一篇:一种织物的印染装置