[发明专利]一种高熔体强度复合隔离膜及其制备方法和应用无效
申请号: | 200810032279.6 | 申请日: | 2008-01-04 |
公开(公告)号: | CN101222034A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 雷彩红;植志飞 | 申请(专利权)人: | 深圳市富易达电子科技有限公司 |
主分类号: | H01M2/16 | 分类号: | H01M2/16;H01M2/14;C08J5/22;C08J5/18 |
代理公司: | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 | 代理人: | 解文霞 |
地址: | 518078广东省深圳市高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高熔体 强度 复合 隔离 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种高熔体强度复合隔离膜,为B/A两层或B/A/B三层结构的微孔膜,其中A层为聚乙烯或乙烯与5~50%其它烯烃的共聚物膜,或两者的混合物膜;B层为丙烯与0.1~10%其他烯烃的共聚物膜。
2.如权利要求1所述的高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:B/A两层厚度比2∶1~1∶2。
3.如权利要求1所述的高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:B/A/B三层厚度比2∶6∶2~4∶2∶4。
4.如权利要求1所述的高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:隔离膜的总厚度15~50um。
5.如权利要求1~4所述的任一高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:A层膜所用的聚乙烯或乙烯与5~50%其它烯烃的共聚物,或两者的混合物,其熔点低于135℃。
6.如权利要求1~4所述的任一高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:B层所用的丙烯与0.1~10%其他烯烃的共聚物熔点高于170℃。
7.如权利要求1~4所述的任一高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:所说的聚乙烯为重均分子量为1×104~1×106的高密度聚乙烯。
8.如权利要求7所述的高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:所说的聚乙烯为重均分子量为5×104~3×105的高密度聚乙烯。
9.如权利要求1~4所述的任一高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:所说的乙烯与其它烯烃的共聚物,是指乙烯与丙烯、丁烯、辛烯或己烯的共聚物。
10.如权利要求1~4所述的任一高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:所说的丙烯与其他烯烃的共聚物,是指该共聚物具有等规构型、结晶度达80%~85%。
11.如权利要求1~4所述的任一高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:所说的丙烯与其他烯烃的共聚物,是指丙烯与乙烯、1-丁烯、2-己烯或1-辛烯的共聚物。
12.如权利要求11所述的高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:所说的丙烯与其他烯烃的共聚物,是指丙烯与乙烯的共聚物。
13.如权利要求12所述的高熔体强度复合隔离膜,其特征在于:乙烯的重量含量为丙烯与乙烯重量的0.1~7%。
14.权利要求1~13所述的任一高熔体强度复合隔离膜在锂电池中的应用。
15.权利要求1~13所述的任一高熔体强度复合隔离膜的制备方法,其特征在于:采用热诱导相分离方法。
16.如权利要求15所述的高熔体强度复合隔离膜的制备方法,其特征在于热诱导相分离方法的具体步骤如下:
a、先将A层所用的原料在挤出机内共混挤出,B层所用的原料在另一挤出机内挤出,然后将两种挤出物在模头内复合,共挤出骤冷后形成的B/A两层或B/A/B三层结构的均匀厚片;
b、将厚片经双向拉伸制成薄膜;
c、用洗涤剂将步骤b所得薄膜洗脱掉溶剂,然后干燥;
d、将干燥后的薄膜热定型处理。
17.如权利要求16所述的高熔体强度复合隔离膜的制备方法,其特征在于:步骤a中,A层所用原料包括聚乙烯或乙烯与5~50%其它烯烃的共聚物、或两者的混合物,另外还包括稀释剂;B层所用原料包括丙烯与0.1~10%其他烯烃的共聚物和稀释剂。
18.如权利要求17所述的高熔体强度复合隔离膜的制备方法,其特征在于:稀释剂的含量范围为A层所用原料总重量的40~90%。
19.如权利要求17所述的高熔体强度复合隔离膜的制备方法,其特征在于:所说的稀释剂是各种烷烃、石蜡或酯类化合物。
20.如权利要求19所述的高熔体强度复合隔离膜的制备方法,其特征在于:所说的烷烃为壬烷或奈烷。
21.如权利要求19所述的高熔体强度复合隔离膜的制备方法,其特征在于:所说的石蜡是液体石蜡。
22.如权利要求21所述的高熔体强度复合隔离膜的制备方法,其特征在于:所说的液体石蜡黏度在70~120cst之间。
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