[发明专利]铌酸钙单晶体的生长方法

权利要求书

1、一种铌酸钙单晶体的生长方法，其特征在于该方法包括下列步骤：

①CaNb₂O₆晶体原料的制备：

初始原料采用高纯的CaCO₃和Nb₂O₅，两原料的摩尔比为Nb₂O₅∶CaCO₃＝1.0213～1.0513；按选定的摩尔比称取原料，然后烧结成CaNb₂O₆晶体原料块；

②采用提拉法生长铌酸钙单晶：

采用提拉法生长铌酸钙单晶体，将原料块装入铱金坩埚，将铱坩埚和籽晶装入提拉单晶炉内，所述的籽晶是<001>方向的CaNb₂O₆晶棒，装入单晶炉完后，单晶炉内抽真空至1～10Pa，充入0.01～0.03MPa中性气氛或还原性气氛，在高于熔点50～80℃时化料，恒温1～2小时，在1560℃时进行晶体生长，晶体生长速度为1～2mm/h，晶体的转动速度为5～10rpm，晶体生长结束，晶体提脱后，以20～40℃/h的速率降温，当降温至950～1000℃时，通过调整加热功率，快速跳过相变点温度；或者加快降温速率，以40～60℃/h的降温速率来避开相变点温度925℃，然后将生长的铌酸钙单晶体置于马福炉中，用10小时加热到1300℃，保温50小时，然后以60℃/h的速度降至室温。

2、一种铌酸钙单晶体的生长方法，其特征在于该方法包括下列步骤：

①CaNb₂O₆晶体原料的制备：

初始原料采用高纯的CaCO₃和Nb₂O₅，两原料的摩尔比为Nb₂O₅∶CaCO₃＝1.0213～1.0513；按选定的摩尔比称取原料，然后烧结成CaNb₂O₆晶体原料块；

②采用提拉法生长铌酸钙单晶：

采用提拉法生长铌酸钙单晶体，将原料块装入铱金坩埚，将铱坩埚和籽晶装入提拉单晶炉内，所述的籽晶是<001>方向的CaNb₂O₆晶棒，装入单晶炉完后，单晶炉内抽真空至1～10Pa，充入0.01～0.03MPa中性气氛或还原性气氛，在高于熔点50～80℃时化料，恒温1～2小时，在1560℃时进行晶体生长，晶体生长速度为1～2mm/h，晶体的转动速度为5～10rpm，晶体生长结束，晶体提脱后，充0.001～0.003MPa氧气或空气，以20～40℃/h的速率降温，当降温至950～1000℃时，通过调整加热功率，快速跳过相变点温度；或者加快降温速率，以40～60℃/h的降温速率来避开相变点温度925℃。

3、根据权利要求1或2所述的铌酸钙单晶体的生长方法，其特征在于所述的铌酸钙晶体原料的烧结过程是：按选定的摩尔比分别称取原料，放入研钵中混和均匀并仔细研磨，用有机玻璃模具在液压机上压成料块，然后把料块装入氧化铝坩锅中，放入马福炉中用10小时升温至1100℃，恒温10个小时后再用10个小时降温至室温，从氧化铝坩锅中取出，即为所述的CaNb₂O₆晶体原料块。