[发明专利]一种高分子基瞬态电压抑制元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810032677.8 申请日: 2008-01-16
公开(公告)号: CN101488385A 公开(公告)日: 2009-07-22
发明(设计)人: 张建 申请(专利权)人: 上海思麦电子有限公司
主分类号: H01C7/10 分类号: H01C7/10;H01C7/12;H01L49/00
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 俞宗耀
地址: 201201上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 高分子 瞬态 电压 抑制 元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种高分子基瞬态电压抑制元件的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:

①双面覆铜线路板基体(1)经蚀刻形成两面对称的图形,作元件的外部焊接端电极(2),所述端电极(2)置于线路板基体(1)的两端;

②在置于两端的所述端电极(2)的外侧边缘打通孔(9);

③在位于两端的所述通孔(9)电镀镀铜层(3),使线路板基体(1)的上、下端电极(2)导通,再在所述通孔(9)和上、下端电极(2)表面镀覆钯金镀层(4);

④在线路板的一面,两个所述端电极(2)间通过超声波压焊工艺焊接一根金属线(5);

⑤在焊接所述金属线(5)的一面印涂一层高分子压敏材料(6),并将其固化;

⑥在所述金属线(5)的中心位置用激光将金属线(5)切断,形成微电极(7);

⑦再印涂一层高分子压敏材料(6),确保在微电极(7)间充分填进高分子压敏材料(6),并将其固化;

⑧所述高分子压敏材料(6)外侧覆盖一层保护胶(8),并将其固化;

⑨在线路板的另一面端电极(2)和通孔(9)表面镀覆锡或者化学沉金,作为元件端子的焊接保护层。

2.根据权利要求1所述一种高分子基瞬态电压抑制元件的制造方法,其特征在于:所述双面覆铜线路板基体(1)是软板或硬板。

3.根据权利要求1所述一种高分子基瞬态电压抑制元件的制造方法,其特征在于:所述金属线(5)是直径为0.05mm~0.2mm的金线、铝线、铜线或银线中的任何一种。

4.根据权利要求1所述一种高分子基瞬态电压抑制元件的制造方法,其特征在于:所述高分子压敏材料中,以体积百分数计,碳化硅、碳化钛,铝粉、镍粉,氧化镁、氧化锌、氧化铈、氢氧化铝中的三种或三种以上的混合物占40%-60%,余量为高分子填充载体环氧树脂、硅橡胶或聚酯胶。

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