[发明专利]用于保护多晶和衬底表面的集成方法有效
| 申请号： | 200810032753.5 | 申请日： | 2008-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN101488478A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 居建华;魏莹璐;何学缅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 保护 多晶 衬底 表面 集成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于保护多晶和衬底表面的集成方法，其特征在于，依次包括以下步 骤：
步骤一：补偿间隔物SiN沉积；
步骤二：补偿间隔物蚀刻；
步骤三：N/P MOS IO处轻度掺杂漏极植入；
步骤四：NMOS核心处轻度掺杂漏极植入；
步骤五：PMOS核心处轻度掺杂漏极植入；
步骤六：间隔物的氧化物/氮化物沉积；
步骤七：间隔物蚀刻；
步骤八：N+源极/漏极注入；
步骤九：对经所述N+源极/漏极注入步骤后形成的器件进行氧化物剥离； 以及
步骤十：P+源极/漏极注入，
其中，该方法在补偿间隔物蚀刻之后且N/P MOS IO处轻度掺杂漏极植入 之前不进行氧化物剥离的步骤，
其中，所述步骤九中，所述间隔物的氧化物/氮化物沉积步骤中形成的氧化 物通过HF湿法剥离被去除。
2.如权利要求1所述的用于保护多晶和衬底表面的集成方法，其特征在于，
所述步骤二和步骤三之间还包括一补偿蚀刻柱清洁的步骤。
3.如权利要求1所述的用于保护多晶和衬底表面的集成方法，其特征在于，
所述步骤七和步骤八之间还包括一间隔物蚀刻柱清洁的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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