[发明专利]一种高密度电荷存储的铁电电容器及其制造方法无效
申请号: | 200810033034.5 | 申请日: | 2008-01-24 |
公开(公告)号: | CN101226956A | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 张燕均;江安全;汤庭鳌 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L29/00 | 分类号: | H01L29/00;H01L27/115;H01L21/02;H01L21/3115;H01G4/30;H01G4/12 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高密度 电荷 存储 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种高密度电荷存储的铁电电容器,其特征在于电容单元包括:第一电极;在第一电极上设置经过氢离子注入的铁电薄膜层结构;以及在第一电极和铁电薄膜层结构上设置的第二电极。
2.根据权利要求1所述的铁电电容器,其特征在于所述的第一电极包括不同形状,不同结构,以及不同材料组分。
3.根据权利要求1所述的铁电电容器,其特征在于所述的第二电极包括不同形状,不同结构,以及不同材料组分。
4.根据权利要求1所述的铁电电容器,其特征在于所述的氢离子注入是包括不同形式的氢离子注入,不同能量,不同剂量的氢离子注入。
5.根据权利要求1所述的铁电电容器,其特征在于所述的铁电薄膜指的是任何在外加电场作用下具有自发极化并且在电场去掉后能保持自发极化,在改变方向的外加电场的作用下,其自发极化的方向也会发生改变的材料。
6.根据权利要求1所述的铁电电容器,其特征在于所述的反铁电薄膜指的是任何晶体结构和同型铁电体相近,但相邻电畴沿反平行方向产生自发极化,净自发极化强度为零,在外加电压的作用下,体内的反铁电畴和铁电畴会相互发生改变的材料。
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