[发明专利]一种可避免反应液污染晶圆的方法

说明书

技术领域

本发明涉及化学气相沉积工艺，尤其涉及一种可避免反应液污染晶圆的方法。

背景技术

化学气相沉积工艺的反应物大多为气体，但在通过射频冷等离子体工艺制作二氧化硅时，其反应物为正硅酸乙酯(TEOS)反应液，且该工艺在相应的化学气相沉积设备的反应腔中进行。

如图1所示，其显示了使用TEOS反应液的化学气相沉积设备的反应腔的结构示意图，如图所示，反应液通过供液管道10供应至化学气相沉积设备的反应腔11，该供液管道10上依次设置有用于显示进入反应腔的液体流量的液体流量计100、控制反应液进入反应腔11的供液气动调节阀101和用于将供液气动调节阀101流出的反应液雾化的雾化装置102。该雾化装置102通过与其相连的供气管道12供应的清洗气体清洗，该供气管道12上具有用于控制清洗气体进入雾化装置102的清洗气动调节阀120，该供液气动调节阀101和清洗气动调节阀120分别通过第一路压缩空气CDA1和第二路压缩空气CDA2来驱动其开关，该反应腔11还具有用于测量其压力的压力表110。

在进行射频冷等离子体工艺时，通过开启第一路压缩空气CDA1来启动供液气动调节阀101使反应液进入雾化装置102中且被雾化后进入反应腔11，并在反应腔11的晶圆上生成二氧化硅。在沉积一定数量的晶圆后，需开启第二路压缩空气CDA2来启动该清洗气动调节阀120清洗该雾化装置102。现有技术在清洗该雾化装置102时，只是开启第二路压缩空气CDA2来启动该清洗气动调节阀120，并没有对压力表110测得的反应腔的压力进行侦测判别，当第二路压缩空气CDA2出现泄漏时，即使开启第二路压缩空气CDA2也无法启动该清洗气动调节阀120，即清洗气体无法进入雾化装置102且对其清洗，此时会导致一些TEOS反应液在雾化装置102中冷凝且可能在其中滞留时间过久并分解为杂质，该些杂质会在下次开启第一路压缩空气CDA1来启动供液气动调节阀101使反应液进入雾化装置102时，会随同TEOS反应液进入反应腔11中且在晶圆上形成色斑，该色斑不仅影响所生常的二氧化硅的质量，且会影响晶圆的外观。

因此，如何提供一种可避免反应液污染晶圆的方法以避免在第二路压缩空气出现泄漏时无法通过开启第二路压缩空气来启动该清洗气动调节阀，从而导致无法正常清洗雾化装置，进而导致反应液在雾化装置中冷凝且滞留而产生易在晶圆上产生色斑的杂质，已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可避免反应液污染晶圆的方法，通过所述方法可避免开启清洗气动调节阀的第二路压缩空气出现泄漏时，无法正常清洗雾化装置而导致反应液在雾化装置中冷凝且滞留而产生易在晶圆上产生色斑的杂质。

本发明的目的是这样实现的：一种可避免反应液污染晶圆的方法，该反应液通过一供液管道供应至一化学气相沉积设备的反应腔，该供液管道上依次设置有一控制反应液进入反应腔的供液气动调节阀和一用于将供液气动调节阀流出的反应液雾化的雾化装置，该雾化装置通过一与其相连的供气管道供应的清洗气体清洗，该供气管道上具有一用于控制清洗气体进入雾化装置的清洗气动调节阀，当开启该清洗气动调节阀正常清洗该雾化装置时，该反应腔的压力处于一正常清洗压力范围内，在开启清洗气动调节阀清洗雾化装置时，侦测该反应腔内压力是否在正常清洗压力范围内，若否则发出报警以警示该雾化装置的清洗异常。

在上述的可避免反应液污染晶圆的方法中，通过闪烁黄闪灯和/或启动蜂鸣器来发出报警。

在上述的可避免反应液污染晶圆的方法中，该反应腔具有一用于测量其压力的压力表，通过侦测该压力表的测量值来侦测该反应腔的压力。

在上述的可避免反应液污染晶圆的方法中，该供液气动调节阀和清洗气动调节阀分别通过第一路压缩空气和第二路压缩空气来驱动其开关。

在上述的可避免反应液污染晶圆的方法中，该正常清洗压力范围为大于13.3帕斯卡。

在上述的可避免反应液污染晶圆的方法中，该雾化装置为一雾化喷嘴。

在上述的可避免反应液污染晶圆的方法中，该反应液为正硅酸乙酯。

在上述的可避免反应液污染晶圆的方法中，该清洗气体为氦气。

在上述的可避免反应液污染晶圆的方法中，该供液管道在供液气动调节阀前还具有一用于测量进入反应腔的液体流量的液体流量计。