[发明专利]一种电容的制作方法

权利要求书

1.一种电容的制作方法，其特征在于，它包括以下步骤：

步骤1：提供一衬底，且上面依次淀积有一电极层和一初始介质层；

步骤2：在所述步骤1的初始介质层上形成一离子注入掩模层后，采用离子注入形成另一介质层；

步骤3：去掉离子注入掩模层后，依次淀积另一电极层和腐蚀阻挡层，在所述的腐蚀阻挡层上形成刻蚀掩模层；

步骤4：蚀刻所述刻蚀掩模层未覆盖的腐蚀阻挡层以及另一电极层的部分；

步骤5：去掉所述刻蚀掩模层后形成分别穿过腐蚀阻挡层和穿过初始介质层的导电过孔，

其中，所述步骤2中的另一介质层的介电常数大于所述步骤1中的初始介质层的介电常数。

2.如权利要求1所述的电容的制作方法，其特征在于，所述步骤1中淀积的电极层为电容的底部电极层，所述步骤3中淀积的另一电极层为电容的顶部电极层。

3.如权利要求1所述的电容的制作方法，其特征在于，所述初始介质为硅化物材料。

4.如权利要求1所述的电容的制作方法，其特征在于，所述另一介质为氧化钽、氧化铪、氧化镐、硅氧化铪、氧化铝或压电材料。

5.如权利要求1所述的电容的制作方法，其特征在于，所述步骤2中的离子注入掩模层和所述步骤3中的刻蚀掩模层的图案为反相的掩模图案，所述离子注入掩模层和刻蚀掩模层均由光阻材料形成。

6.如权利要求5所述的电容的制作方法，其特征在于，所述离子注入掩模层和所述刻蚀掩模层分别采用两个互为反相图案的掩模版制作。

7.如权利要求5所述的电容的制作方法，其特征在于，所述离子注入掩模层和所述刻蚀掩模层采用同一掩模版制作，所述离子注入掩模层的光阻材料的极性与所述刻蚀掩模层的光阻材料的极性相反。

8.如权利要求1所述的电容的制作方法，其特征在于，所述步骤4中的蚀刻采用干法刻蚀。