[发明专利]全反射投影光学系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种投影光学系统，特别涉及一种用于半导体光刻以及照相制版的全反射投影光学系统。

背景技术

随着投影光刻技术的发展，投影光学系统的性能逐步提高，并可以适用于集成电路制造等多种领域。现已将投影光刻技术成功应用于亚微米分辨率集成电路制造领域。在半导体封装技术中，投影光刻技术可用于要求较低分辨率(如几微米)、较大焦深、较高产率的金凸块/锡凸块、硅片级芯片尺度封装(WLCSP)技术等领域。

随着半导体芯片特征尺寸的不断减小，为了得到更加精细的结构，投影物镜所使用的波长在不断减少，同时像方数值孔径不断增大。在45nm节点技术以后，EUV(极紫外)光刻技术将具有极大的优势，对于极紫外波段(波长小于15nm)，几乎所有的玻璃都有很强的吸收性，此时传统的折射式和折反射结构已不再适用，取而代之的是全反射系统结构。

如图1所示，美国专利US6226346采用四片反射镜结构，R1-R4分别为第一至第四反射镜，R3使用球面镜，其余使用高次非球面，M和Wafer分别为物面和像面位置。此系统的特点是：环形视场及使用高次非球面镜较好的控制了畸变，系统分辨率可达0.1um，像方数值孔径在0.1以上。但是由于物方主光线和光轴存在夹角，以及控制畸变的需要，难以扩大视场，其最大视场宽度不超过3mm。

如图2及3所示，美国专利US6556648中给出了两种不同的光阑位于第二反射镜上的四片反射镜结构，视场宽度可以做到4mm，但像方远心而物方非远心，不利于畸变校正，同时第一反射镜和第四反射镜距离过小，且像方工作距离很短，在实际工作中很难实现。其中A1-A4、B1-B4分别表示第一至第四反射镜，与专利US6226346相比，该光阑位于第二反射镜位置，有效控制了物方主光线与视场的夹角(仍未达到物方远心)，扩大了视场。其不足之处是：两种方案的像方工作距离都很短，A1和A4的距离过近(如图2所示)，不利于机械安装。

因此，如何提供一种投影光学系统以保证成像质量良好，并且提高投影物镜系统的工作距离、并压缩光学总长，为工件台和掩模台提供较大的设计空间，已成为业界亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种全反射投影光学系统，该系统采用全折射和反远距结构，它不仅能有效地校正像差，而且具有较大的工作距离、良好的成像质量，在装校和成本方面也兼具优势。

本发明的目的是这样实现的：一种全反射投影光学系统，以利用成像光线将位于物镜物平面内的图案投射到物镜像平面内，其包括位于物面之后该成像光线依次经过的第一至第四反射镜，其中，该第一至第四反射镜构成双远心投影物镜结构，物方主光线和像方主光线均与光轴平行，孔径光阑位于该第二反射镜上并关于光轴旋转对称，该第二反射镜位于第一反射镜焦点位置，并且该第三反射镜和第四反射镜将该孔径光阑的像成在像方无限远处。

上述的全反射投影光学系统，其中：该第一反射镜位于光轴以上，该第三、四反射镜位于光轴以下，均为离轴放置，该第二反射镜位于光轴处，为旋转对称结构。

上述的全反射投影光学系统，其中：该第一、四反射镜具有负折射能力，该第三反射镜具有正折射能力，该第二反射镜为平面镜。

上述的全反射投影光学系统，其中：该第一反射镜和第三反射镜为凹面镜，该第四反射镜为凸面镜。

上述的全反射投影光学系统，其中：该第一、第三及第四反射镜均采用高次非球面。

本发明由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：

1、孔径光阑位于第一反射镜焦点处，入瞳呈在物方无限远，即保证物方主光线与光轴平行，从而有效地控制了畸变，有利于扩大视场。

2、像方工作距离(像面到第四反射镜的距离)大于100mm，像面到第三反射镜的水平距离在30mm以上，便于机械安装。

附图说明

本发明的全反射投影光学系统的具体结构由以下的实施例及附图给出。

图1为一种传统的光学系统结构及光路示意图。

图2为另一种传统的光学系统结构及光路示意图。

图3为又一种传统的光学系统结构及光路示意图。

图4为本发明的全反射投影光学系统的结构及光路示意图。

图5为本发明的视场示意图。

具体实施方式

以下将对本发明的全反射投影光学系统作进一步的详细描述。