[发明专利]晶片支撑组件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制程中的设备，特别是涉及物理气相淀积设备中用的晶片支撑组件。 

背景技术

在半导体制程的物理气相淀积过程中，通常用到Endura设备，该设备包括若干反应室、传输室、缓冲室、装载室以及机械手壁等。例如图1所示，有两个传输室，分别是第一传输室2a和第二传输室2b，在两个传输室中各有一个机械手臂5a和5b。在第一传输室2a和第二传输室2b之间有两个暂时放置晶片和冷却晶片的缓冲室3a和冷却室3b。第一传输室2a中的第一机械手臂5a主要用于将晶片从缓冲室3a到反应室1a，或者从一个反应室1a到另一个反应室1b，或者从一个反应室1b到冷却室3b进行传输。而第二传输室2b中的第二机械手臂5b用于将晶片从冷却室3b到装载室4，或者从装载室4到缓冲室3a进行传输。 

缓冲室3a用于临时放置待工的晶片，而冷却室3b则用于冷却反应室中来的处于较高温度的晶片，以便传输到下一个工序。在该两个室中设置有一套用于支撑晶片的支撑组件6，如图2所示。该晶片支撑组件包括：基座61、支撑杆62，其中，基座61固定在机台的圆形底座(图中未示出)上，一般基座61底部与机台用螺母固定，整个支撑组件可以随着基台一起上下移动。支撑杆62与基座61成直角并固定成为一体。 

图2A～2D是该支撑组件6的工作过程示意图。 

当机械手臂传输过来一个晶片时，支撑组件6整体上移到刚好接触晶片，这时机械手臂放下晶片并离开，如图2A所示，放置有晶片的支撑组件慢慢向下移动，直到晶片与支撑台/冷却台8接触，如图2B所示。但是有时由于机械手臂的机械故障或者腔体内发生晶片背面压力发生异常从而导致晶片偏离，当偏离的晶片从机械手臂上放到支撑组件上时，有种可 

能的情况如图2C所示，这时很可能是晶片一边搭在支撑组件的支撑杆62上，而另一边已经与冷却台或支撑台8接触，接着支撑组件慢慢向下移动，由于晶片的一边已经在一支撑杆的下方，因此支撑组件向下移动到一定程度就会打到接触冷却台或支撑台的晶片一边，导致晶片破碎。这不仅浪费了一个晶片，而且由于破碎的晶片破坏了真空环境，因此需要对机台进行清理，如果该破损晶片是已经过多道工序加工的晶片，那么损失更加严重。 

发明内容

为了解决上述问题，提出了本发明。 

本发明的目的是提供一种晶片支撑组件，即使当晶片由机械手臂放置于支撑组件上时晶片偏离该支撑组件，该组件也能够保证晶片安全而不破损。 

本发明为了实现上述目的，将现有技术中固定连接的支撑组件改进为活动连接，使支撑晶片的部分可在纵向上转动。 

本发明的晶片支撑组件，用于物理气相淀积设备中，该组件包括： 

基座，固定于机台底座上并能够随机台一起升降； 

支撑部件，包括支撑端和连接端，连接端与基座连接并由基座支撑，支撑端用于支撑晶片； 

其特征在于，所述支撑部件的连接端与基座活动地连接，当支撑端受到向上的外力作用时，使支撑部件的支撑端能够围绕连接端与基座的连接处向上转动，当支撑部件上没有向上的外力作用时，支撑部件保持水平。也就是说当支撑部件上支撑有晶片或者支撑部件处于未工作状态时，支撑部件保持水平。 

一般基座底部与机台底座用螺母固定，由于机台可以在纵向上下移动，因此基座与机台一起升降。 

为了支撑晶片稳定，所述的支撑端呈扁平结构，优选地呈阶梯结构，包括一略低于连接端面的支撑面，用于放置晶片，和一倾斜面，用于挡止晶片。 

所述基座可以是适宜固定于圆形底座上的任何形状，可以是一个整体结构，也可以是多个基座，基座整体可以呈环形、多边形，或者单个呈柱 形的多个基座。 

当基座为环形结构时，较好为比晶片外圈尺寸稍大的圆环形设计。基座上至少有三个穿槽，以大致均匀的间隔分布在所述圆环形基座上，穿槽大小与支撑部件的连接端相配合，而且有相应数量的支撑部件分别设置在所述穿槽中。 

当基座是柱形结构时，在机台底座的比晶片外圈尺寸稍大的环形区域上至少包括三个基座和相应数量的支撑部件，基座以大致均匀的间隔分布在该环形区域上，每个基座上有一个穿槽，穿槽大小与支撑部件的连接端相配合，以使每个支撑部件的连接端分别容置在一个穿槽中。 

穿槽的底部可以是径向向外的倾斜底部，倾斜底部的顶部使支撑部件在支撑有晶片时或处于未工作状态时，使支撑部件保持水平。优选地所述倾斜底部与水平方向的角度为50～70度。